一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法.pdf.PDFVIP

一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法 张玉龙 ，张 艳 ，蒋书森 　 （ ， ） 厦门 大学 萨本 栋微 米 纳米科学技术研究院 福 建 厦门 ３６１００５ 　 　 ： “ ” 。 ， 摘要 提 出一种 称之为 阵列误 差光 刻 的方 法 采 用两次接 触光 刻和 两 次金 属 剥 离工艺 形 成 ， ， 两组顶 端相 对 的电极 阵列 利 用第二 次接 触光 刻时 的对 准误 差 在 这 两组 电极之间 按照 概 率 分 布 。 ， 形成了 一 个最 小的纳米 间隙 设 计 并制 作 了一 种 含 有 对 电极 的验证 器件 按照 光 刻 对 准误 差 １６ 的范 围为 进行 估 算 ，理论上 最 小 间 隙的分布 范 围为 。通过 扫描 电镜 测 量实 ±２．０ ｍ ０ １５０ｎｍ μ ～ 　 ， ， ， 际制 造 的样 品 获得 了大量 ５０ｎｍ以下 的电极 对 最 小 间隙为 １６．６ｎｍ 并且 制备 的电极 层 厚 度 　 　 可 以达到 ，使 串联电 阻较 小 。这种 纳米 间隙 电极 的制备方 法 简单有效 。 ２００ｎｍ 　 ： ； ； ； ； 关键词 电极 对 纳米 间隙 阵列误 差光 刻 接 触光 刻 纳米 电子学 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３０５．７ Ａ １６７１－４７７６ ２０１３ ０８－０５１８－０５ 　 　 ＣｏｎｔａｃｔＬｉｔｈｏ ｒａｈ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒＰｒｅ ａｒｉｎ ＮａｎｏＧａ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ 　 ｇ ｐ ｙ 　 　 ｐ ｇ － ｐ 　 　 　 ， ， Ｚｈａｎ Ｙｕｌｏｎ Ｚｈａｎ Ｙａｎ Ｊｉａｎ Ｓｈｕｓｅｎ ｇ ｇ ｇ ｇ 　 　 　 （ ， ， ，