光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征.pdfVIP

化工 而1.67 No .10 第67 卷第10 期 学报 2016 年 10 月 CIESC J01Ul1al October 2016 .f坦出口出 吨 ; 研究论文: 电辛辛去辛辛言~::!I!:言誓言1 DOI: 10 .1 1949/j .issn.0438-11 57 .20 160583 光电化学刻蚀方法去除 SiC 衬底外延石墨烯缓冲层及其表征 孙丽，陈秀芳， 张福生， 于碟碟，赵显，徐现刚 (山东大学晶体材