原子层沉积Al2O3n-GaNMOS结构的电容特性-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 19 (2013) 197203 原子层沉积Al O /n-GaN MOS 结构的电容特性* 2 3 † 闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰 ( 轻工过程先进控制教育部重点实验室, 江南大学电子工程系, 无锡 214122 ) ( 2013 年4 月6 日收到; 2013 年7 月4 日收到修改稿) 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al O /n-GaN 金属-氧化物-半导体结构, 研究了紫外光 2 3 照对样品电容特性及深能级界面态的影响, 分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源. 在无光照 情形下, 由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率, 样品的室温电容- 电压扫描曲线表现出典型的 深耗尽行为, 且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变. 当器件受紫外光照射时, 半导体耗尽层内 的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子, 同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应. 非理想样品 积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大, 其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的 “charge-to-breakdown” 过程. 关键词: 原子层沉积, Al O /n-GaN, 金属-氧化物-半导体结构, 电容特性 2 3 PACS: 72.80.ey, 73.40.kp, 73.40.−c DOI: 10.7498/aps.62.197203 子束蒸发及原子层沉积(ALD) 等. 其中, ALD 是以 1 引言 单原子层的形式在基底表面淀积薄膜的方法, 对薄 膜厚度、均匀性和一致性的控制非常好, 特别适合 随着材料生长质量与微加工技术水平的不 制备场效应管的高质量绝缘介质. 断进步, 近年来氮化镓基高电子迁移率晶体管 前期利用ALD 技术制备了一系列Al O /n- 2 3 (HEMTs) 的性能获得了大幅提高. 目前, 一个严 GaN 绝缘栅金属-氧化物-半导体(MOS) 结构, 在电 重影响器件可靠性的问题是, 势垒层表面高密度 容特性测量过程中发现: 1) 紫外光照对Al O /n- 2 3 的缺陷态容易捕获来自栅极或沟道的电子, 降低 GaN MOS 结构的电容特性有重要影响; 2) 相同工 器件高频段的输出电流, 引发电流崩塌现象1−3 . 艺流程下制备的MOS 结构性能上可能存在很大差 实验证明, 在半导体表面淀积介质钝化层可以有 异, 部分非理想样品的正向积累区电容随偏压下降, 效抑制GaN HEMTs 的电流崩塌效应, 但同时还希 无法用经典理论解释. 目前, 关于这两个现象的研 望该钝化层能降低器件的栅极漏