微奈米加工技术第三次作业.PDFVIP

微奈米加工技術 第三 次作業 班級:奈米四乙 姓名黃中琳: 學號:4A014056 指導老師 :莊承鑫 老師 1.Proximity Effect Proximity Effect是鄰近效應。電子束光刻是能夠提供高分辨 率的圖案化。然而，電子的散射的影響 光阻和基材導致在相鄰於那些 由電子束曝光的區域的不期望的影響，這種效應被稱為鄰近效應。該 電子束的波長非常小，衍射不再限定光刻分辨率。在電子束光刻， 分 辨率是由電子光學畸變，並且更重要的是，在電子的散射光阻和基材 的限制。這些電子散射效果，通常被稱為鄰近效應，引起的周圍，其 中電子束入射（圖 一）的A區域但是因為鄰近效應， B區域曝光。 圖一( ) 下圖二為電子束曝光後之抗蝕圖形的SEM照片展示了鄰近效應，在小 型的，孤立暴露部位得到相對更大或更密集地暴露部位較少的劑量 圖二( ) 2.Forward Scattering Forward Scattering是正向散射，其在電子束打在光阻後往下 顯著擴散的散射即為正向散射 ，下圖三為電子束打在光阻後之散射圖 圖三( ) 其電子束伏特數越強，正向散射之範圍就越廣 ，如下圖四 圖四( ) 3.Backscattering Backscattering的意思是背向散射，背向散射是由入射波的電 子可以背反射且離入射波顯著的距離通過光阻導致額外的光阻曝光。 這就是所謂的電子束鄰近效應。下圖五為正向與背向散射之模擬圖 圖五( ) 由下圖六可以清楚分辨正向與背向散射之差異 圖六( ) 4.Secondary Electron Secondary Electron為二次電子 。電子顯微鏡的主要原理主要 在於透過電子束聚焦在樣品上時，因為撞擊到樣品而釋放出二次電子， 這樣脫離的電子帶著樣品表面型態的訊息，他被偵測接收到後，即可 放大成像而被記錄下來。而被向散射的效果都不如二次電子的成像效 果來的清晰，所以真正曝光的來源都是二次電子的區域，相對的鄰近 效應貢獻就少了許多。下圖七為二次電子之示意圖 圖七( ) 5.Einzel lens Einzel lens的意思是單透鏡。 一個單透鏡是一個帶電粒子透鏡 的聚焦，而不改變光束的能量。它由三個或更多組的圓筒形或矩形孔 或管中一系列沿軸線。這是用在離子光學聚焦離子在飛行中，這是通 過操縱來實現電場中的離子的路徑。在鏡頭上的靜電勢是對稱的，所 以這些離子會恢復其初始能量在離開透鏡，雖然速度外顆粒將被改變， 使得它們在與軸線會聚。這將導致外部粒子在到達重點路口略晚於那 些沿直線路徑行進，因為他們要前往一個額外的距離。 下圖八為 Einzel lens 示意圖 圖八( ) 6.Beam Deflector Beam Deflector意思是 光束偏轉器。利用八個極板所產生的推 拉力,決定擊到Sample 上Beam的位置 ，功能包括: Image Scan:以設定倍率決定掃描範圍及成像,利用 Raster Scanning 產生影像(參考成像說明). Pattern Scan:在所指定的 Pattern(方塊圓, ,線,多邊形等範圍掃描) 用