素坯密度对气相渗硅制备CC-SiC复合材料结构与性能的影响.pdfVIP

Vo l. 44 No.7 第 44 卷 第 7 期 材料工程 2016 年 7 月第19-25 页 Journal of Materials Engineering Ju l. 2016 pp.19-25 素坯密度对气相渗硅制备 C/C-SiC 复合材料 结构与性能的影晌 Effects of Preform Density on Structure and Property of C/C-SiC Composites Fabricated by Gaseous Silicon Infiltration 曹 宇，刘荣军，曹英斌，龙宪海，严春雷，张长瑞 (国防科学技术大学航天科学与工程学院，长沙 410073) CAO Yu , LIU Rong-jun , CAO Ying-bin , LONG Xian-hai , YAN Chun-lei , ZHANG Chang-rui (College of Aerospace and Materials Engineering , National University of Defense Technology ,Changsha 410073 ,China) 摘要:三维针刺碳毡经化学气相渗透(Chemical Vapor Infiltration. CVI)增密制备 C/C 素坯，通过气相渗硅(Gaseous Sil- icon Infiltration. GSl)制备 C/C-SiC 复合材料。研究素坯密度与 CVIC 层厚度及素坯孔隙率的变化规律，并分析素坯密 度对 C/C-SiC 复合材料力学性能、热学性能的影响。结果表明:随着素坯密度增大.CVI C 层变厚，孔隙率减小;C/C-SiC 复合材料中残 C 量随之增大，残余 Si 量随之减小.SiC 先保持较高含量(体积分数约 40%) .随后迅速降低.C/C-SiC 复合 3 材料密度逐渐减小，力学性能先增大后减小，而热导率及热膨胀系数降低至平稳。当素坯密度为1. 085g/cm 时，复合材 308. 31MPa. 断裂韧度为 1 1. 36MPa • m川。研究发现:素坯孔隙率较大时，渗硅通道足 料力学性能最好，弯曲强度可达 够，残余硅多，且 CVIC 层较薄，纤维硅蚀严重，C/C-SiC 复合材料力学性能低;素坯孔隙率较小时，渗硅通道很快阻塞， Si 和 SiC 含量少，而闭孔大且多，C/C-SiC 复合材料力学性能也不高。 关键词: C/C 素坯;气相渗硅;C/C-SiC;CVI C; 力学性能 doi: 10. 11868/j. issn. 1001-4381. 2016. 07. 004 中图分类号: TB332 文献标识码:A 文章编号: 1001-4381(2016)07-0019-07 Abstract: The 3-D needled C/C preforms with different densities deposited by chemical vapor infi