钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响.pdfVIP

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2017-06-11 发布于北京
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钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响.pdf

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钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响.pdf

第43卷第4期人工晶体学报 No．4 v01．43 兰Q!堡生兰旦 !Q旦堡堕垒垦Q!璺羔坚坚垦旦垦垦垦羔曼坠堡垒P曼!：兰Q!兰钛掺杂对ZnO．Ti透明导电薄膜性能的影响顾锦华1，汪浩2，兰椿2，钟志有2一，孙奉娄3，杨春勇2…，侯金2’3 (1．中南民族大学计算与实验中心，武汉430074；2．中南民族大学电子信息工程学院，武汉430074； 3．中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室，武汉430074) 摘要：以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料，采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO (TZO)透明导电薄膜，通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统，研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响。结果表明：所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构，并且具有(002)择优取向，钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响。当钛掺杂含量为3wt％时，TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748．15S／cm)，具有最佳的光电综合性能。TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大。关键词：磁控溅射；ZnO：Ti；透明导电薄膜中图分类号：0484 文献标识码：A ofTi onthe ofZnO：Ti Effect Doping Properties ThinFilms Conducting Transparent GU fin2·3 fin．hual，WANG Ha02，LA』vChun2，ZHONGZhi．you2”，SUNFeng—lou3，YANGChun—yon92…，HOU of for (1．CenterComputing＆Experimenting，South·CentralUniversityNationalities，Wuhan430074，China； ofElectronicInformation for Nationalities，Wuhan430074，China； 2．College Engineering，South—CentralUniversity 3．Hubei of Wireless for Communications，South-CentralNationalities，Wuhan430074，China) KeyLaboratoryIntelligent University 5December 26 (Received February2014) 2013，accepted thinfilmsw