退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响.pdfVIP

第37卷摇 第4期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾37 No郾4 2016年4月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Apr. ,2016 文章编号:1000鄄7032(2016)04鄄0457鄄06 退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响 许摇 玲,吴摇 崎,董承远* (上海交通大学 电子工程系,上海摇 200240) 摘要:非晶铟钨氧(a鄄IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备 工艺条件尚有待摸索。 本文研究了退火温度对a鄄IWOTFT 电学特性影响的基本规律和内部机理。 实验结果 表明,随着退火温度的升高,a鄄IWOTFT 的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a鄄IWO薄膜中氧空 位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。 此外,a鄄IWOTFT 的亚阈值摆幅和阈值电压在200 益下退火 达到最佳,我们认为主要原因在于此时a鄄IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。 关摇 键摇 词:非晶铟钨氧;薄膜晶体管;退火温度;氧空位;表面粗糙度 + 中图分类号:TN321 .5摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0457 Effect of Annealing Temperature on Performance of Amorphous InWO Thin Film Transistors XU Ling,WU Qi,DONG Cheng鄄yuan* (Department of Electronic Engineering,ShanghaiJiao Tong University,Shanghai200240,China) *Corresponding Author,E鄄mail:cydong@ Abstract:Amorphous indium tungsten oxide (a鄄IWO) thin film transistors (TFTs) show superior electrical performance and stable properties,but their industrial fabrication methods still need to be developed. In thisstudy,theeffect of annealingtemperatureontheelectricalperformanceof a鄄IWO TFTswasinvestigated,wheretherelatedbasicdependenceandphysicalessencewereinvolved. The experimental resultsindicatethatthefield鄄effectmobilityof a鄄IWOTFTsincreasesgraduallywiththe annealing temperatureincreasing,duetothemoreoxygenvacanciesaswellasthelargercarriercon鄄 centration at higher annealing temperatures. Meanwhile,annealing at 200 益 led to the best sub鄄 threshold swing and threshold voltage of a鄄IWOTFTs,as is assumed to mainly result from the best front鄄channel interface caused by the smallest roughness of t