超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 固体电子学研究与进展 20 2 Vo1.20 o.2 年 月 2000 RESEARC~ gPRO RESS OF SSE May. 2000 超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡 透明导电薄膜的研究 周之斌 崔容强 黄 燕 孙铁囤 陈 东 (上海交通大学物理系太阳能研究所 200030D 1999012 收稿收改稿 摘要 报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成 果 选用氟作为掺杂元素 通过改变掺杂量和工艺参数 可控制薄膜的方块电阻在 以上的 10 范围内变化 膜厚 掺氟离子二氧化锡为 型导电半导体 高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光 (400 nm D n 学透过率为 采用 单色光源测透过率 用 射线衍射及扫描电子显微镜分析 8 90 ( 0 nm D O X 可获得该薄膜材料的微结构 表面形貌以及薄膜组成 掺杂百分含量 该成果为大规模生产优质二 , , O 氧化锡透明导电薄膜 提供了有效 简单的方法和装置 , O 关键词 超声雾化喷涂工艺 氟离子掺杂 二氧化锡透明导电薄膜 中图分类号 T 304- 0 文献标识码 B 文章编号 1000-3819(2000D 02-0229-04 Ultrasonic Enhanced Spraying Process and Study of Tin Oxide Transparent Conductive Thin Films Zhou Zhibin Cui Ronggiang ~uang yan Sun Tietun Chen Dong (S0ZC7 E767g}17S l / 6 S C7g Cl JlC0 07g U7l 67Sl } 200030 CHND Abstract TranSparent conductiVe tin oxide thin fi1mS doped with f1uorine ionS . are depoSited with the S