第13章电磁感应与电磁波-2011.12.12.ppt

涡流传感器 是由于线圈中的磁场能量释放给灯泡。当电键 K 打开时，电路中电流迅速减小，在线圈中产生自感电动势，这个自感电动势比电源电动势要大，所以灯泡比原来还亮一些，最后灯泡熄灭。 线圈中的能量，是由于线圈在通电过程中，电流克服自感电动势作功，使线圈具有能量。 稳恒电流的功为： L K 在 dt 时间内，电流I克服线圈中自感电动势作的元功为： 某一时刻自感电动势为： 则 线圈中电流从 0 变化到I过程中电流作的总功为： 电流作功使线圈能量改变，作功等于末态线圈能量减去初态线圈的能量。 其中 为线圈的能量。 由于初态线圈中电流为 0，所以 线圈能量为： 二、磁场的能量 由于载流线圈中具有磁场，所以线圈的能量也可以说是磁场的能量。 以载流长直螺线管为例： I l S ? n 长直螺线管中插有磁导率为μ的磁介质，管内磁感应强度为： I l S ? n 则 长直螺线管的自感系数为： 磁场能量为 （1） 由 从上三式中可看出磁场的能量只与磁场和磁场分布的空间有关。 （2） （3） （1） 三、互感磁能 线圈1的电源维持 I1，反抗互感电动势的功,转化为磁场的能量 先使线圈1电流从0到 I1 ,电源 做功，储存为线 圈1的自感磁能 合上开关k2电流 i2 增大时, 在回路1中的互感电动势： 经过上述步骤电流分别为I1和I2的状态，储存在磁场中的总磁能： 线圈2的电流从0到 I2,电源 做功,储存为线圈2的自感磁能 同理，先合开关 k2使线圈 2充电至 I2 ，然后合开关k1保持 I2 不变，给线圈 1 充电，得到储存在磁场中的总能量为： 这两种通电方式的最后状态相同，所以 称MI1I2 为互感磁能 M为互感系数 四、磁场的能量密度wm 磁场能量只能反映空间体积 V 内的总能量，不能反映磁场的能量分布情况。须引入描写磁场分布的物理量----能量密度。 1.能量密度ωm 单位体积内的磁场能量。 2.由能量密度计算磁场能量 先确定体积元内的磁场能量， 再计算体积V体内的磁场能量， 例： 计算半径为 R、长为 l、通有电流 I、磁导率为μ的均匀载流圆柱导体内磁场能量。 l I R 导体内沿磁力线作半径为 r 的环路， 解：由介质中安培环路定理确定导体内的磁感应强度 B ， r l R r 将圆柱导体分割为无限多长为 l 厚度为dr 的同轴圆柱面， dr 体积元处的磁场能量密度为： 导体内的磁场能量为： 体积元体积为： l R r dr l R r dr 第八节 麦克斯韦方程组 电磁场 I 一、电流密度 垂直穿过单位面积的电流强度。 j n dS 电流强度只能反映导体中总的电流情况，不能反映电流的分布。 1.电流密度定义 I dS n 电流密度为矢量，方向为导体内该点电场强度方向。 单位：安培/米2 ， A/m2 则穿过面元 dS 的电流强度由 其中 为dS垂直于电流密度 j 的分量, 穿过导体横截面的电流强度为： 二、位移电流 I S2 S1 恒定电流取环路 L，对环路张两个任意曲面 S1、 S2，则穿过两个曲面的电流强度相等，由安培环路定理有： 1.位移电流的提出 L I S2 S1 但对于非稳恒电流又如何呢？比如电容器充电过程,当电键 K 闭合时,电源对电容器充电,电路中的电流是变化的,作环路 L, 对 L 也张两个曲面 S1、 S2 ? K L I S2 S1 L I 对于稳恒电流，穿过环路所张任意曲面的的电流强度都是相等的。 对 S1 面有电流流过,而 S2 面作在电容器内侧,由于电容器是绝缘的，无电流通过，对S1 面应用安培环路定理： 对 S2 面应用安培环路定理，由于 S2 面无电流通过，则 S2 S1 ? K L 由此看出对于同一个环路 L，由于对环路所张的曲面不同，所得到的结果也不同。 1865 年麦克斯韦提出一个假设，当电容器充电时，电容器中的电场发生变化，变化的电场可等效成位移电流 Id，使电流连续起来。位移电流也可产生涡旋的磁场，如果当时有测量仪器的话，就可测出磁场。 位移电流是由变化的电场等效而来的。 S2 L S1 ? K L ? k Id Ic 2.位移电流 Id 与传导电流 Ic 的比较 传导电流 Ic 位移电流 Id 由宏观的电荷移动产生 由变化的电场产生， 无宏观的电荷移动 有热效应 无热效应 可产生涡旋的磁场 可产生涡旋的磁场 B2 3.位移电流的计算 电流强度的定义： 单位时间内通过导体横截面的电量。 在电容器导体极板上的电荷密度为?,极板面积为S。 ? k Id Ic S ? -? 位移电流 位移电流等于电位移通量随时间的变化率。 位移电流密度等于电位移随时间的变化率。 极板面积不变 电位移矢量不只是时间的函数，故要写成偏导数