a—Si：H TFT亚阈值区SPICE模型的研究.pdf

第 2O卷 第 4期 液 晶 与 显 示 Vo1．20．NO．4 2005年 8月 ChinesejournalofLiquidCrystalsandDisplays Aug．．2005 文章编号 ：1007—2780(2005)04—0267-06 a—Si：HTFT亚阈值区SPICE模型的研究 邵喜斌 ，王丽娟 ～，李 梅。 (1．中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 ．吉林 长春 130033．E—mail：shaoxb@jctlcd．com； 2．吉林北方彩品数码电子有限公司．吉林 长春 130033； 3．长春理工大学 高功率半导体激光 国家重点实验室 ，吉林 长春 130022，E—mail：wanglj@jctlcd．corn) 摘 要 ：研究 了将非晶硅薄膜 晶体管 (a—Si：HTFT)在 电路模拟程序 (SPICE)中使用 的亚 阈 值 区模 型 ，将亚阈值区分为亚 阈值前 区和亚阈值后 区并建立 了模 型 ，对 比了不 同模 型下 的模 拟结果 ，发现亚阈值区的 TFT特性依赖于材料性质 ，而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受 栅 源电压 、，cs和漏 源电压 、，DS的影响 ，呈 指数 变化 。提 出的新模 型考虑 了前 界面态 、后 界面 态 、局域态 、材料及制作工艺等 因素 ，体现 了该 区域 电流对漏源 电压 、， 强烈的依赖关系 。使 用新模 型对实验数据 的拟合结果优于以往的模型 ，能够 比较精确地模拟亚 阈值区的特性 ，可 用来预测 a—Si：H TFT的性能 ．对 TFT阵列 的模拟设计具有重要价值。 关 键 词：a—Si：H TFT；SIICE模型 ；亚阈值区 中图分 类号 ：TN321．5 文献标识 码 ：A 的厚度8Onm_{时．栅源 电压 ，≥0为亚阈值 1 引 言 前区的前界面导 电，栅源 电压 V，O时为亚 阈值 近年 ，非晶硅薄膜晶体管 (a—Si：H TFT)虽然 后 区的后界面导 电。 广泛应 用 到 有 源矩 阵 液 晶器件 (AMLCD)中， 本文研究了a—Si：H TFq、器件的亚阈值区模 a—Si：H TFT 的工艺 和结 构也在不断 的改进 ，但 型，应用在 SPICE中。发现器件 的亚 阈值 区的电 适应于不同工艺结 构模 型的研究还 比较 少 ]。 流 电压特性依赖于材料的性 质．用参 数 S (亚 阈 值前区的斜率)、S(亚阈值后区的斜率)、r(亚阈 建立既能够体现物理意义，又能满足于 电路模拟 值前区的拟合参数)、r(亚阈值后 区的拟合参数) 程序 (SPICE)的精确模型对 TFT—LCD的设计者 体现材料的依赖关系，并对 比不同的模型，建立 了 是非常有用的。 能够精确模拟亚阈值前区和亚阈值后 区的模型， aSi：H TFT 的电流 电压特性 (J 特性 )是 对实验数据的拟合结果优于 以往的模型。用这些 a—Si：H TFT的一个重要 电学特性 ，其亚 阈值 区 新的模型和参数可更精 确地 预测或模拟 a—Si：H 模型一直有很多争议 。很多文献 。解释 了 TFT设计 电路系