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重要半导体的能带图（参考资料） k k 能带结构就是晶体电子的能量E与波矢kk之间的关系曲线。现在已经发展出了许多能带 结构的计算方法和实验方法，并且对于一系列半导体的能带结构进行了理论计算和实验验 证。 能带结构的计算一般都是在一定的晶格周期性势场形式下、基于单电子近似来求解 Schrödinger方程；这里重要的是如何选取晶格周期性势场的近似模型。因此，依据势场模型 的选取就有多种不同的计算能带结构的方法，例如Hartree-Fock方法、量子缺陷方法、赝勢 方法等。 1 图 若干半导体的能带结构（计算） 1 图1是采用赝勢方法计算而得到的若干重要半导体的能带结构图（未考虑电子自旋）。见