13低频电子电路第一章课题.ppt

作业： 1 - 3、1 - 5、1 - 6、 1 - 13、1 - 15。 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 ⑵ 直折线近似模型 在一定的允许误差条件下，我们常将复杂的二极管特性用直折线来近似表示，如下图所示。 该近似描述强化了二极管的区域特性性质，突出了单向导电的特点，又有一定的精度。 vDVDO时，二极管特性近似为 VDO iD vD 0 式中，RD为折线B斜率的倒数；VDO为转折点电压，又称死区电压。锗管的约为0.2 V，硅管约为0.6 V。 i v VD0 i v VD(on) i v 0 按近似精度递减给出普通二极管常见的直折线近似等效模型曲线如下 直折线模型（1） 直折线模型（2） 直折线模型（3） 注：直折线近似等效模型（3）也称理想二极管模型。 i v VD0 i v VD(on) i v 0 对应电路模型如下 直折线模型（1） 直折线模型（2） 直折线模型（3） a b VD(on) RD D + - a b VD(on) D + - a b D 对应导通，即有电流时的表达式如下 rs rj i v Q rs：