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§ 3.2 PN结的形成及特性 4）开关电路：利用二极管的单向导电性，接通或断开电路 3、半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 3.3.2 二极管的V－I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 vD ---- 二极管两端的电压; iD ---- 流过二极管的电流 特点： 非线性 1、正向特性 正向电压vD较小时，正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻；当vD大于Vth时，正向电流迅速增长，管子正向导通。 ≈ 0.5V 硅管 0.1V 锗管 门坎电压（死区电压）： 正向导通压降： 硅管-------0.7V 锗管-------0.2V 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 2、反向特性 在反向电压作用下，形成反向饱和电流 Is。 硅管的反向电流比锗管小的多； Is的大小主要与温度有关（T↑→ Is↑） 3、反向击穿特性 当反向电压大于反向击穿电压VBR时，反向电流剧烈增加。二极管被反向击穿。 注意： 二极管的V－I 特性对温度很敏感 T↑→正向特性曲线左移； 反向特性曲线下移。 vD iD 3.3.3 二极管的主要参数 1. 最