共源_共栅组态S_2I电流存储单元与其性能.pdfVIP

　第 23 卷第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 23 ,No . 10 　2002 年 10 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Oct . , 2002 2 共源共栅组态 S I 电流存储单元及其性能 李拥平 　石 　寅 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) 2 2 ( 2 ) 摘要 : 针对原型 S I 开关电流存储单元性能上的一些弱点 ,提出了共源共栅组态的 S I 电流存储单元 简称 CS I 2 2 新结构 ,使其关键速度与精度性能得到较好的改善. 相同器件尺寸下的 S I 与 CS I 单元电路相比 ,后者速度性能提 2 高了 16 倍 ,两种电路结构同样应用于延迟单元和双采样双线性积分器功能部件的 HSPICE 仿真表明:CS I 方式组 成的延迟单元的精度提高了5 倍 ,双采样双线性积分器的三次谐波减少了 15dB . ( ) 2 关键词 : 开关电流 SI ; S I 存储单元 ; 精度 EEACC : 1130 ; 1205 ; 2570D ( ) 中图分类号 : TN432 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2002 2 HSPICE 仿真表明:CS I 方式组成的延迟单元的精度 1 　引言 提高了5 倍 ,双采样双线性积分器的三次谐波减少 了 15dB . ( ) [ 1] 开关电流 SI 技术 是一种电流模式的模拟取 样数据信号处理技术. SI 电路不需要线性浮置 电 2 2 　S I 电流存储单元分析 容 ,与标准数字 CMOS 工艺制作兼容 , 同时它兼有高 速 、宽带 、低电压工作等优点 , 自80 年代中期问世以 2 21 　S I 电流存储单元简介 来 ,引起了国内外相关学者的高度关注 ,并得到了较 快发展. SI 技术是继开关电容技术之后的一种新的