ZnOPAA复合体系的制备和光致发光研究-光子学报.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 ３７ １０ 　 　 　 Ｖｏｌ．３７Ｎｏ．１０ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２００８ １０ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｏｃｔｏｂｅｒ２００８ ／ 复合体系的制备和光致发光研究 ＺｎＯＰＡＡ  李科伟，闫金良 ，孙学卿，李俊，杨春秀 （鲁东大学 物理与电子工程学院 山东 烟台 ２６４０２５） 摘 要：通过加热法在多孔氧化铝模板的纳米孔内组装了ＺｎＯ颗粒，形成了ＺｎＯ和多孔氧化铝模 　 板（ ）复合体系 用 型 射线衍射仪表征了复合体系的结构，用 型紫外 可见 ＰＡＡ ． Ｙ２０００ Ｘ ＴＵ１９０１  分光光度计测量了复合体系的光学透过率，用ＷＦＹ２８型荧光分光光度计测量了复合体系的光致 发光 结果显示，多孔氧化铝模板中的 结晶良好，平均晶粒尺寸 ；多孔氧化铝模板组 ． ＺｎＯ １０．８ｎｍ 装 后透过率明显下降， 处只有 左右； ／ 复合体系在短波长光激发下有一 ＺｎＯ ５５０ｎｍ ４５％ ＺｎＯＰＡＡ 个强的４３０ｎｍ峰位的发光峰，随着激发波长增大，发光峰位红移，并且逐渐分解为两个峰，峰位分 别在 和 ４１０ｎｍ ４６０ｎｍ． 关键词：氧化锌；多孔阳极氧化铝；复合体系；光致发光 中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ） Ｏ４７２．３Ｏ４８２．３１ Ａ １００４４２１３２００８１０２０１４４ 　　　 　　　 醇和高氯酸混合溶液进行电化学抛光 最后在 ０ 引言 ． 　 ／的草酸水溶液中进行阳极氧化，纯铝片 ０．３ｍｏｌＬ ＺｎＯ是一种直接宽带隙半导体材料，室温下的 为阳极，铅板为阴极，氧化电压 ６０Ｖ．一次氧化产生 ［］ 禁带宽度为 ，激子结合能高达 １ ３．３６ｅＶ ６０ｍｅＶ ． 的氧化膜用 ６ｗｔ％磷酸和 １．８ｗｔ％铬酸混合溶液 近年来， 作为一种主要的荧光材料而被深入研 ＺｎＯ （体积比 ）腐蚀掉，二次氧化的条件除时间外， １ １ 究 随着平板显示中对蓝光的需求及场发射显示的 ． 其它与一次氧化完全相同 用饱和四氯化锡腐蚀掉