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半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 §2.1 伏安特性 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR §2.2 二极管的等效电路 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） * * §1 半导体的基本知识 § 1.1 PN结 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，半导体器件中用的最多的是硅和锗。 半导体的特点： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 § 1.1.1 本征半导体 一、本征半导体的结构特点 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去