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第 五 章 存储器
第 五 章 存储器
存储器的类型
随机存储器RAM
只读存储器ROM
存储器的设计、地址分配
学习目标
学习目标
1、存储器的类型:
1、存储器的类型:
随机存储器RAM;只读存储器ROM
随机存储器RAM;只读存储器ROM
2、存储器的设计、地址分配
2、存储器的设计、地址分配
3、外设的地址分配
3、外设的地址分配
4、给定接线图写出存储器地址,给定地址要求
4、给定接线图写出存储器地址,给定地址要求
画出接线图。
画出接线图。
重点内容
重点内容
1、存储器的类型
1、存储器的类型
2、存储系统的设计
2、存储系统的设计
5-1 存储器分类
硬盘:IDE、SCSI、ATA
外部存储器 光盘:CD-ROM
FLASH :U盘
存
储 SRAM
器 RAM
内部存储器 DRAM
(半导体存储器) PROM
ROM EPROM
EEPROM
(1) 存储器组织
(1) 存储器组织
• 一个基本存储电路只能存储一个二进制位。
• 存储器有不同的数据线宽度:
1位 数据线,如:8118 16K*1(DRAM)
4位 数据线, 如:2114 1K*4 (SRAM)
8位 数据线, 如:6116 2K*8 (SRAM)。
• 每8位作为一个存储体。16位数据总线需2个存储体,32位
数据线需4个存储体。
(2) 外围电路
(2) 外围电路
以地址号来选择不同的存储单元。
电路中要有地址译码器、I/O电路、片选控制端CS、输出缓
冲器等外围电路
外围电路
5-2 随机存取存储器 RAM
一、静态随机存取存储器(SRAM )
1、静态RAM 的构成
①单元电路:
6个MOS管组成双稳态触发器,存储一位二
进制数“0”或“1” 。
只要不掉电, “0”或“1”状态一直保持,除非
重新写入新数据。
不需要刷新,集成度低,成本高。
Q1、Q2 组成一个触发器
Q3、 Q4 作为负载电阻
Q5、 Q6 作为控制门
•写入时:由I/O线输入: 若I/O=1,使Q2 导通,Q1 截
止, A=1 ,B=0 。
•读出时:A 、B点信号由Q5、Q6送出到 I/O线上。
若A=1 ,B=0,则I/O=1 。
②存储矩阵:
存储器以存储单元为基本单位构成矩阵。
存储单元的数据线有1位、4位、8位,可以
同时写入/读出1位、4位、8位二进制数。
③地址译码器:
不同存储单元通过不同地址码来区别。
地址译码器包括行译码与列译码。
④三态数据缓冲器与控制逻辑
所有存储单元的数据线对应并联形成存储器
的内部数据总线,可有1位、4位、8位。
内部数据总线通过三态数据缓冲器与外部数
据总线连接。
数据缓冲器受片选信号控制,当片选信号无
效时,缓冲器关闭,外部数据总线与片内总线
之间处于高阻状态,数据无法写入或读出。
数据写入操作需要在写信号有效时完成,数
据读出操作需要在读信号有效时完成。
2、静态RAM 的例子:6264
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