基于忆阻器神经突触仿生器件研究.pdf

前沿FRoNTIER 基于忆阻器的神经突触仿生器件研究 ◎刘益春 徐海阳 王中强 张磊 忆阻器因其与神经突触类似的独特非线性电学性质．以及结构简单、集成 度高等优势．在新型神经突触仿生电子器件领域引起广泛关注。 忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种 2013年开发出以忆阻器为存储单位的阻变式随机存 储器。 基本无源电子器件。蔡少棠(LeonChua)最早于 Ong 1970年代在研究电荷、电流、电压和磁通量之间关系 另一方面是在智能型器件及神经突触仿真模拟研 时推断出这种元件的存在，并指出它代表着电荷和磁 究领域的应用。按照忆阻器的理论模型，其阻值可以随 通量之间的关联。忆阻器具有电阻的量纲，但有着不同 施加电压而发生变化。并能够记住改变的状态。这与生 于普通电阻的非线性电学性质。忆阻器的阻值会随着 物大脑中神经突触的原理有着很高的相似性，突触连接 流经它的电荷量而发生改变．并且能够在断开电流时保 强度随信号刺激而发生变化，并保持变化的连接强度。 持它的阻值状态。这种电流控制型忆阻系统阻值与施加 生物系统记忆和学习功能是以精确控制通过神经 电压及时间等满足一定的数学关系，然而具有这种数学 元及突触的离子流为基础建立的。一方面突触能够动 关系和性质的是一种理想的器件．没能在单一的器件中 态地反应外界的电位刺激。并保持一系列连续的状态。 被发现，所以忆阻器一直被认为是“丢失的器件”。脚 另一方面，作为突触很重要的特点——可塑性，往往会 产生一系列与空间和时间相关联的功能。正因为突触 忆阻器的应用功能 这些非线性及与时间关联等复杂的特征。导致在物理 为了证实忆阻器的可行性，蔡少棠曾经利用多个 上难以对其进行精确模拟。所以利用忆阻系统实现神 电阻、电容、电感及放大器做出了模拟忆阻器效果的电 经突触功能将可能是一种简单有效的方式。 路。直到2008年，惠普公司在单一的器件中利用双层 TiO：结构实现了忆阻器。圜在这种忆阻器中，电场作用 下氧空位可以在两层TiO：间迁移进而改变器件整体 的电阻。基于忆阻器的记忆特性，它在很多方面有着广 泛的应用。最直接的应用是用于阻变式随机存储器 (RRAM)，电场能够诱导器件产生高低阻两种状态并 能够使之进行相互转变。因其运行速度快、存储密度 高、非挥发性等特性，被认为具有成为下一代存储器的 潜力。惠普公司与SK海力士公司已经联合开发并预计 刘益春，教授；徐海阳，教授；王中强，博士；张磊，博士：东北师范 大学物理学院先进光电子功能材料研究中心。紫外光发射材料与技术教 育部重点实验室，长春130024。ycliu@nenu．edu．cn；hyxu@nenu．edu．cn Liu Yichun，Professor；XuHmyang,Professor；WangZhongqiang 电阻、电容、电感及忆阻器等四种基本无源电子器 forAdvanced Functional Doctor；,ZhangLei，Doctor：．Centre Optoelectronic 件及其相互关系示意图翔 CL…Mi妒分 MaterialsResearchand forUV Materials 图中V,R…q KeyLaboratoryLi曲t—Emitting and of of NortheastNormal 别表示电压、电阻、电荷、电容、