第5篇_存储器系统.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 二、动态随机存储器DRAM * * 1. DRAM的特点 存储器单元线路简单，以MOS管极间寄生电容来存储信息 由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定，故DRAM芯片需要定时刷新。 动态RAM集成度高，引脚数目受到小型化封装的限制 内部具有行地址锁存器和列地址锁存器 * * 2. 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1bit 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址信号线； 地址信号线的数量仅 为同等容量SRAM芯 片的一半。 * * 主要引线 行地址选通信号。用于锁存行地址。（兼作片选信号） 列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们 分别在RAS和CAS有效期间被锁存在锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 WE=0 WE=1 WE：写允许信号 RAS： CAS： 数据写入 数据读出 * * 3. 2164在系统中的连接 与系统连接图 * * 三、存储器扩展技术 * * 1. 存储器扩展 用多片存储芯片构成一个需要的内存空间； 存储器芯片的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 存储单元个数 字长 扩展单元 扩展字长 * * 2. 存储器扩展方法 位扩展 字扩展 字位扩展 扩展字长 扩展单元数 既扩展字长也扩展单元数 * * 位扩展 构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元 的字长时——需进行位扩展。 位扩展：每单元字长的扩展。 方法：把每个存储芯片的地址线和控制线（包括片选信号线和读写信号线等）全部并联在一起，把数据线分别引出至数据总线的不同位上。 * * 例1 用4K×4位的SRAM芯片进行位扩展，以构成容量为4KB的存储器 * 例2 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 * * 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分 别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 * * 字扩展 地址空间的扩展 芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联。 片选端分别引出，以使每个芯片有不同的地址范围。 * * A0～A10 DB AB D0～D7 A0~A10 R/W CS 2K×8 D0～D7 A0～A10 2K×8 D0～D7 D0～D7 A0~A10 CS 译码器 Y0 Y1 高位地址 R/W 字扩展示意图 * * 字扩展例 用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器 两芯片的地址范围分别为： 20000H～2FFFFH 30000H～3FFFFH * * 字扩展例 G1 G2A G2B C B A Y2 Y3 MEMR MEMW A19 A18 A17 A16 74LS138 高位地址： 芯片1： 0 0 1 0 芯片2： 0 0 1 1 A19 A18 A17 A16 芯片1 芯片2 * * 字位扩展 设计过程： 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） ×（N / K） * * 字位扩展例 用2164芯片构成容量为128KB的内存。 * * * * * * * * * * * * * * * * 第5章 存储器系统 * * 存储器分类 按体系结构的观点，分为： 内存和外存 内存：存放当前运行所需要的程序和数据，以便向CPU快速提供信息，存取速度快，但容量较小，且价格较高 外存：用来存放当前暂时不参与运行的程序、数据和文件，以及一些永久性保存的程序、数据和文件，存储容量大，价格低，但存取速度较慢 * * §5.1 概 述 主要内容： 半导体存储器的分类及特点 两类半导体存储器的主要区别 * * 1. 半导体存储器 半导体存储器由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的半导体器件组成。 能存放一位二进制数的半导体器件称为一个存 储元。 若干存储元构成一个存储单元。 * * 2. 内存储器的分类 内存储器 随机存取存储器（RAM） 只读存储器（ROM） * * 随机存取存储器（RAM） RAM 双极型半导体RAM 静态读写存储器（SRAM） MOS RAM 动态读写