为5V 1-Wire 从器件提供过压保护.pdf

美信社区： 为 5V 1-Wire®从器件提供过压保护 Bernhard Linke, 首席技术专家 摘要：如果应用中是在完成系统部署后写入 EPROM 器件，此时需要对 5V 器件提供过压 保护。本文介绍如何在同一总线上使用 1-Wire EPROM 和 5V 1-Wire 器件，以及如何保护 5V 器件不受编程脉冲的冲击。 引言 大多数 1-Wire 器件工作在 2.8V 至 5.25V VPUP，进行读、写操作。EPROM 器件 (包括DS2406、 DS2502、DS1982、DS2505 和 DS1985)需要 12V 编程脉冲进行写操作。而编程脉冲对于不能承 受 5.5V 以上电压的器件构成了过压威胁。因此，如果应用中需要在完成系统部署之后写入 EPROM 器件，则要对 5V 器件进行保护 (图 1)。本文电路具有高达40V 的正向过压保护，在电 压高于 12V EPROM 编程脉冲的条件下提供系统防护。 图 1. 包含 5V 和 12V器件的 1-Wire 总线 保护电路要求 合适的保护电路需要满足以下几项要求： 对 1-Wire 总线形成非常低的负载 不妨碍 1-Wire EPROM 编程 适当保护 5V 1-Wire 器件 维持完整的通信信号幅值 此外，最好采用常用的低成本元件构建保护电路。 基本原理 图 2 所示为非常简单的保护电路。齐纳二极管 U1 限制Q1 的栅极电压，R1 限制通过U1 的电流。Q1 为 n 沟道 MOSFET，配制成源极跟随器，栅极电压减去一个小的偏移电压后达到 1-Wire 从器件的 IO 电压。为维持完整的通信信号幅值，偏移电压应尽可能低。具有负偏压 的耗尽型MOSFET 非常适合这一应用。对 Supertex® DN3135 进行测试，测得其偏压为-1.84V (数据资料参数 VGS(OFF))。由此，要求栅极电压VG 为 3.16V，决定了U1 的门限电压。 美信社区： 图 2. 保护电路原理图 不幸的是，晶体管的偏移电压随器件、温度的不同而变化。“-1.84V”电压可能变化成 -3.5V 至室温下-1.5V之间的任何值。这种变化使得很难找到合适的齐纳二极管。此外，低 压齐纳二极管指标通常为 5mA 下的指标，该电流将会影响 1-Wire EPROM 的编程电压。例如， 如果工作于 100µA，压降则远远低于规定门限。此时，可能选择并联型基准(与齐纳二极管 非常相似)更合适，可以在电流非常小的条件下达到门限电压。例如，3.3V 供电的 Maxim LM4040，只需 67µA 电流就能可靠地达到反向击穿电压。根据 1-Wire 总线在 5V 时达到 67µA 电流的要求，可计算得到：R1 = (5V - 3.3V)/67µA = 25.4kΩ 。1-Wire 总线上大约 10 个 从器件消耗的电流为 67µA，这是 1-Wire 主控器件 (例如 DS2480B)可以接受的。现在，我们 检查 12V 编程脉冲器件通过 R1 的电流： I(R1) = (12V - 3.3V)/25.4kΩ = 343µA (式 1) 1-Wire EPROM 的编程电流规定为 10mA。额外增加 1/3mA 的负载不会产生任何问题。因 此，图 2 所示电路在 MOSFET 偏移电压接近-1.8V 时能够工作，但并不保证如此。实际应用 中，最好提供可调节门限的保护电路。 利用电流源实现可调节门限 图 3 电路使用电流源(U1)设置 Q1 的最大栅极电压。理想电流源所提供的电流不受其两 端电压的影响。给定电流 IOUT 时，可通过选择不同的 R1 调节栅极电压。 图 3. 利用电流源改进保护电路 美信社区： NXP® PSSI2021SAY 是一款通用的单芯片电流源(图4)。器件具有4 个端子，分别称为 VS、IOUT、GND 和 REXT。如果安装了REXT，则与内部 48kΩ 标称电阻并联。 图4. 改进后的保护电路 根据产品数据资料，IOUT 计算如下： IOUT = 0.617/REXT(Ω) + 15µA (式 2) 式中，REXT = 10kΩ，REXT 并联