563-半导体硅熔体电导率的间接测量与在线粘度计(黏度-环境相-磁粘度-熔硅电导率).pdf

37卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v01．37No．1 半导体硅熔体电导率的间接测量 徐岳生，刘彩池，王海云，张 雯，石义情 (河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130) 摘要：本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度，根据叩甜=(胪6)2盯关系式，间接计算出硅熔体的电导率。其结果与 用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化，解释了硅熔体在1420—1690℃范围电导率的变化，研 究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义。 关键词：环境相；磁粘度；熔硅电导率 中图分类号：TN304 文献标识码：A of IndirectMeasurement ofSiliconMelt Conductivity XU Cai—chi，WANG Wen，SHI Yue·sheng，LIU Hai—yun，ZHANGYi—qing ofInformation (Institute FunctionMaterial，HebelUniversityofTechnology，TiBnjin300130，China) f尼Ⅻ疵蒯7March 2007) Abstract：The wascalculated the ofsiliconmehinthe field conductivity bymeasuringviscosity magnet of resultswere and tothe consistentwiththevalue accordingrelationshipr／elf=(胪6)2矿．The reported othermethod．Theofsiliconmelt atthe of14206(2to1690。CWas by variety conductivityrange explained withthe ofelectronsandions．Thisworkis tothe of diametersilicon． variety significantgrowthlarge words：environmental ofsiliconmelt Key phase；magneticvi8c08it)r；conductivity 1 引 言 晶体生长向大直径发展应该重视对环境相的研究¨’2J。以半导体硅单晶生长为例，晶体和熔体(浓厚的 环境相)本来是对立统一的两个方面，长期以来，由于追求晶体质量和成品率，忽视了环境相的变化和对晶 体的影响。在大直径晶体生长计算机模拟过程中，对环境相的重要物性参数日刮(熔体动力粘滞系数p，表面 张力／，体膨胀系数届，热扩散系数，c，电导率矿等)缺乏精确的研究，给模拟带来重大误差。经典晶体生长理 论把熔体看成连续介质，不考虑其结晶效应。但在过冷和磁场条件下，环境相(熔体)中形成一定尺寸，一定 几何晶型的生长“基元”。环境相中发生的浓度与密度的起伏也应该是正常的。本文首次提出了一种通过 测定磁场条件下硅熔体粘度，然后间接测试熔硅电导率的方法并研究了1420℃(硅熔点)至1690。C熔硅电导 率的变化规律，并对其进行了合理的解释。 2实 验 由钕铁硼引入可变化的水平磁场，用旋转震动法测硅熔体的有效粘度(磁粘度)。测试粘度的实验装