第6章 外部存储器接口.pptVIP

6.1 接口信号与控制寄存器 EMIF(External Memory Interface)外部存储器接口 为DSP芯片与众多外部设备之间提供一种连接方式，EMIF最常见的用途就是同时连接FLASH和SDRAM。 EMIF性能优良，跟外部SDRAM和异步器件连接时，具有很大的方便性和灵活性。 根据DSP器件的不同，EMIF数据总线可以是32位、16位或8位。 6.1 EMIF接口信号 主要特点是： 系统需要为C67x提供一个外部时钟。该外部时钟由ECLKIN输入后会产生EMIF接口的时钟信号ECLKOUT。 SBSRAM接口、SDRAM接口和异步接口的信号合并复用。由于不需要进行后台刷新，系统中允许同时具有这3种类型的存储器。 CE1空间支持所有的3种存储器接口。 同步存储器接口提供4 字突发访问模式。 SDRAM接口更灵活，支持更广泛的SDRAM配置。 EMIF接口地址 虽然C6000提供32位地址寻址能力，但是经EMIF直接输出的地址信号只有EA[21:2]。一般情况下，EA2信号对应逻辑地址A2，但这并不意味着DSP访问外存时只能进行字(32 bit)或双字(64 bit)的存取。实际上内部32位地址的最低2～3位经译码后由BEx输出，是能够控制字节访问的。某些情况下，EA2还可能对应最低位逻辑地址A1或A0 EMIF接口宽度与字节定位 C67x的EMIF可以访问8/16/32位宽度的存储器，支持little-endian和big-endian模式。最低位逻辑地址规定由EA管脚输出，EMIF内部会自动根据访问数据的字长，将逻辑地址作移位调整输出。 EMIF控制寄存器 EMIF接口由一组存储器映射的寄存器进行控制与维护，包括配置各个空间的存储器类型和设置读写时序等。 GBLCTL寄存器完成对整个片外存储空间的公共参数的设置，CExCTL寄存器分别控制相应存储空间的存储器类型和接口时序，另外3个SDRAM寄存器负责控制所有属于SDRAM空间的存储接口情况 GBLCTL寄存器 CExCTL寄存器 SDCTL寄存器 SDTIM寄存器 SDEXT寄存器 6.2 SDRAM接口设计 SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 同时，我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以任意顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。? DRAM是Dynamic RAM的缩写，中文含义为动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SDRAM：Synchronous DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 DRAM容量大，SRAM容量小 SDRAM的结构 接口信号与SDRAM配置 SDRAM的控制 ACTV命令 EMIF与SDRAM的接口时序由SDCTL、SDTIM和SDEXT寄存器控制，如何设置上述时间参数，需要用户去查看具体SDRAM芯片的器件手册 外部存储器读写示例 程序类型： 汇编程序 直接寄存器操作的C语言程序 基于CSL的C语言程序 基于DSP/BIOS的C语言程序 SDRAM 读写示例 示例0601 6.3 异步接口设计 EMIF 异步读时序 EMIF 异步读时序 CE1CTL控制寄存器 FLASH 的读时序 FLASH 的读时序 FLASH 的写时序 FLASH 的写时序 FLASH 读写流程 FLASH 操作等待流程 Flash 接口配置举例 FLASH 读写程序流程 外部存储器读写示例 程序类型： 汇编程序 直接寄存器操作的C语言程序 基于CSL的C语言程序 基于DSP/BIOS的C语言程序 FLASH 读写示例 示例0602 泰克混合示波器 MSO4104 Tektronix CE1 写时序 EMIF=50MHz CE1CTL = 0 CE1 写时序 EMIF=50MHz CE1CTL = 0 F0H 5555H 55H 2AAAH AAH 5555H 软件ID退出/ CFI退出 F0H XXH 软件ID退出/ CFI退出 98H 5555H 55H 2AAAH AAH