【2017年整理】3点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础.pptVIP

第3章 晶体缺陷;缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。;按形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等 按几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等　; 缺陷的形成原因 ; 缺陷的形成原因 ; 缺陷的形成原因 ;3.1 点缺陷;3.1 点缺陷;(a) 肖脱基空位－离位原子进入其它空位或迁移至界面。 (b)弗兰克尔空位－离位原子进入晶体间隙。 (c)间隙原子：位于晶体点阵间隙的原子。 (d)(e)置换原子：位于晶体点阵位置的异类原子。 (f)离子晶体：负离子不能到间隙; 局部电中性要求。;Frenkel defect 和 Schottky defect产生示意图;3. 点缺陷的平衡浓度 热力学分析表明，晶体最稳定的状态并不是完整晶体，而是含有一定浓度的点缺陷状态，即在该浓度情况下，自由能最低。这个浓度就称为该温度下晶体中点缺陷的平衡浓度。 原因：空位的出现破坏了其周围的结合状态，因而造成局部能量的升高（由空位的出现而高于没有空位时的那一部分能量称为“空位形成能”）但同时空位的出现大大提高了体系的熵值;点缺陷的平衡浓度的计算：假设温度T和压强P条件下，从N个原子组成的完整晶体中取走n个原子，即生成n个空位。并定义晶体中空位缺陷的平衡浓度为：x=n/N ;点缺陷的平衡浓度的计算 ;由上式可得： 1）晶体中空位在热力学上是稳定的，一定温度T对应一平衡浓度X； 2）X与T呈指数关系，温度升高，空位浓度增大； 3）空位形成能ΔUV大，空位浓度小。 例如：已知铜中ΔUV=1.7×10-19 J，A取为1，则 ;4. 点缺陷的产生 平衡点缺陷：热振动中的能力起伏。 过饱和点缺陷：外来作用，如高温淬火、辐照、冷加工等。;5. 点缺陷的运动：迁移、复合－浓度降低；聚集－浓度升高－塌陷 晶体中的原子正是由于空位和间隙原子不断地产生与复合才不停地由一处向另一处作无规则的布朗运动，这就是晶体中原子的自扩散。是固态相变、表面化学热处理、蠕变、烧结等物理化学过程的基础。;5. 点缺陷的运动： 空位在晶体中的分布是一个动态平衡，其不断地与周围原子交换位置，使空位移动所必需的能量，叫空位移动能Em。自扩散激活能相当于空位形成能与移动能的总和。;6. 点缺陷与材料行为 （1）结构变化：晶格畸变（如空位引起晶格收缩，间隙原子引起晶格膨胀，置换原子可引起收缩或膨胀。）；形成其他晶体缺陷（如过饱和的空位可集中形成内部的空洞，集中一片的塌陷形成位错。） （2）性能变化：物理性能：如电阻率增大，密度减小。力学性能：屈服强度提高（间隙原子和异类原子的存在会增加位错的运动阻力。）加快原子的扩散迁移 ;3.2 位错 3.2.1 位错的基本类型和特征 位错的概念：位错是晶体的线性缺陷。晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。 意义：对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等起着决定性的作用，对材料的扩散、相变过程有较大影响。 位错的提出：1926年，弗兰克尔发现理论晶体模型刚性切变强度与与实测临界切应力的巨大差异（2～4个数量级）。1934年，泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时提出位错的概念。1939年，柏格斯提出用柏氏矢量表征位错。1947年，柯垂耳提出溶质原子与位错的交互作用。1950年，弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。之后，用TEM直接观察到了晶体中的位错。;3.2.1 位错的基本类型和特征 刃型位错：刃型位错的位错线垂直于滑移方向，模型如图所示，相当于在正常排列的晶体当中插入了半个原子面。拥有半原子面的晶体部分，原子间距减小，晶格受到压应力；在缺少半原子面的晶体部分，原子间距增大，晶体收到拉应力。;2. 螺型位错: 位错线垂直于滑移方向，模型如图3-7所示。晶体右上半部分在外力的作用下发生局部滑移，滑移面为ABCD，滑移方向如图所示。;混合位错：混合位错的位错线呈曲线状，与滑移方向既不垂直也不平行，而是呈任意角度。因此，混合位错可以看成是由刃型位错和螺型位错混合而成。;刃型位错的特点： 刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。它不一定是直线，也可以是折线或曲线，但它必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量。 滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，由于在刃型位错中，位错线与滑移矢量互相垂直，因此，由它们所构成的滑移面只有一个。 晶体中存在刃型位错之后，位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变。 在位错线周围的过渡区（畸变区）每个原子具有较大的平均能量。但该区只有几个原子间距宽，畸变区是狭长的管道，所以刃型位错是线缺陷。;螺型位错的特点??? 螺型位错无额外半原子面，原子错排呈轴对称。螺型位错线与滑移矢