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第四章 信息存储材料;信息存储材料的发展;1.磁存储过程 磁存储的主要模式: 水平(纵向)存储模式 垂直存储模式 杂化存储模式 磁存储系统所包括的基本单元: 存储介质 换能器 传送介质装置 匹配的电子线路;;Magnetization;HAMR - Heat Assisted Magnetic Recording;;1、存储信号的基本过程： 磁存储介质是含有高矫顽力磁性材料的薄膜，这种磁化的介质(如磁带)以恒定的速度沿着与一个环形电磁铁相切的方向运动，工作缝隙对着介质，存储信号时，在磁头线圈中通入信号电流，就会在缝隙产生磁场溢出，若磁带与磁头的相对速度保持不变，则剩磁沿着介质长度方向上的变化规律完全反映信号的变化规律，这就记录下了相应的信号。;2.磁存储原理 记录场 电感式环形磁头: 主要产生沿水平方向的磁化矢量; 单极磁头: 主要产生沿垂直方向的磁化矢量.;;磁存储材料在传统信息技术中建立了不安朽功勋，在现代信息技术发展中将在较长时期内仍占有极其重要的地位。 现代磁存储材料的发展方向为： 高密度小型化； 高速度传输； 高可靠性； 低成本； 磁存储材料的分类： 颗粒涂布型； 高密度存储连续膜； 磁头材料;特点：是用颗粒制成的磁存储介质，由磁粉、少量添加剂和非磁性胶粘剂形成的磁浆涂布于聚脂类薄膜基体上制成；其磁粉的特性和尺寸等参数对存储性能有重要影响。 （1）、磁存储介质对磁粉参数的要求: 剩余磁感应强度Br：Br越高，读出信号就越强；但退磁场强度也越强。Br决定于磁粉特性和在介质中所占的比例。 矫顽力：决定于磁粉的畴结构。为提高磁粉的矫顽力，必须消除磁畴壁，使磁性粒子达到单磁畴的尺寸。 磁层厚度：越厚退磁现象越严重，使存储密度降低，导致磁层均匀化的难度增大，降低读出信号强度，引起读出误差；磁层厚度的减小，会使读出信号下降，要选择最适当的磁层厚度。 磁层表面光洁度和均匀性;(2) 磁 粉 对颗粒涂布型磁存储介质的关键材料是磁粉。常用的种类有： 1) 金属磁粉：在1980年代实现商品化，其特点是比氧化物具有更高的磁感应强度和矫顽力，缺点是稳定性差，易于氧化。2) ?-Fe2O3磁粉：是最早在磁带和磁盘中实现应用的磁粉，具有良好的记录表面，在音频、射频、数字记录及仪器记录中取得了理想的效果，且价格便宜，性能稳定。 3) CrO2磁粉：是在1960年代为满足提高存储密度的要求而首先使用的铁磁质。它的一个显著的特点是具有低的居里温度(125℃)，使它成为目前惟一可用于热磁复制材料，比磁存储速度具有更快的高密度复制方法。 4) 钡铁氧体磁粉：来源丰富，成本低，有较高的矫顽力和磁能积，抗氧化能力强，成为应用广泛的永磁材料。 5) Co-?- Fe2O3磁粉：含Co克服了Fe2O3磁粉矫顽力较低的缺点，从1970年代开始, 得到了广泛的发展。;特点：具有低成本和高密度磁存储的特点。 (1) 磁存储膜基本磁特性 1) 磁各向异性：磁性薄膜各向异性的来源与成分和镀膜工艺有关，主要有： ① 磁致伸缩引起的磁薄膜的各向异性; ② 应力引起的各向异性; ③ 形状效应引起的各向异性； ④ 其它，象原子对的有序排列等因素引起的各向异性。 2) 垂直各向异性：本征磁性能决定于成分、偏析和温度，而非本征磁性能与薄膜的厚度、密度、微观组织、尺寸、形状、取向、晶粒的孤立性以及缺陷杂质的浓度和微观应力的分布有关。 3) 饱和磁化强度：薄膜(厚度小于30nm)的Ms与温度成一次方关系(块材的与温度按T3/2的规律变化). 4) 连续磁膜的磁化特性：在磁存储过程中，在信号磁场作用下形成反磁化核，产生畴壁运动以及磁畴矢量的不可逆转动等。;(2) 多层薄膜结构 特点：把磁性层与非磁性层交替进行沉积，可组成多层膜结构。 多层薄膜的矫顽力：多层膜的矫顽力与磁性膜之间的作用能有关。若非磁性膜很厚，则两个磁性膜之间的静磁耦合会很弱，从而使双层膜的矫顽力与单层膜接近。 多层膜的畴壁结构：单层薄膜的畴壁结构决定于薄膜的厚度；在两层厚度相等的磁膜之间有一层非磁性薄膜这种多层膜的磁畴状态与各层膜厚有关。;(3) 常用的连续介质膜 各向同性金属膜：最早使用电镀法。控制矫顽力的几个因素 ①薄膜成分； ②铬层厚度； ③磁膜厚度； ④沉积温度等。 2) 各向异性金属膜： 可用蒸镀、溅射等方法获得各向异性的磁薄膜，须严格控制其工艺过程。 ;磁头的基本功能是与磁存储介质构成磁性回路，对信息进行加工，包括三种主要功能. ： 1）记录(录音、录像、录文件)； 2）重放(读出信息)； 3）消磁(抹除信息) 为了实现这些功能，磁头可以有不同的结构和形式，按其工作原理不同，可分为磁阻式磁头和感应式磁头： (1) 磁阻式磁头(MRH) 利用磁