多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征.pdfVIP

444 助 能 材 料 多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征‘ 花银群，孙真真，陈瑞芳，徐瑞丽 (江苏大学机械工程学院，江苏镇江212013) 摘 要： 采用传统陶瓷烧结工艺，制备了直径为 磁控溅射制备掺杂ZnO陶瓷薄膜一般用金属靶 50mm，厚度为3mm的Bi203、Sb203、C0203、Cr203、或陶瓷靶。金属靶的优势在于制造方便、纯度高、价格 MnO：掺杂的ZnO陶瓷靶，采用所制备的ZnO陶瓷靶低廉且可采用直流磁控溅射及成膜速率高等。其不足 和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了之处在于，受磁控溅射设备的限制，不能进行多组分掺 杂。由于陶瓷靶制备简单、成奉较低，且成分控制较容 ZnO陶瓷薄膜，并研究了溅射功率和退火温度对ZnO 陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响。结果表明： 易，可用于制备多组分掺杂的ZnO薄膜。本研究采用 随着溅射功率的增大，ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大； 自制的多组分掺杂ZnO陶瓷靶材为源，利用射频磁控 颗粒尺寸先减，J、后增大。随着退火温度的升高，Zno溅射工艺在无氧气氛中制备了多组分掺杂ZnO薄膜， 陶瓷薄膜的f轴取向增强；晶粒尺寸增大。溅射功率 并对其组织结构和微观形貌进行研究。 为350W，退火温度为850℃，制备出的陶瓷薄膜的相 2 实 验 组成是ZnO主晶相、富Bi。o。相、Sb20。相以及Zn2．33 Sb¨，o。尖晶石相，得到了具有压敏电阻特性的组织 2．1 Zn0陶瓷靶材的制备 99．0％，MnO：97．5％， 结构。 原料为分析纯试剂(ZnO 关键词：无机非金属材料；ZnO陶瓷薄膜；射频磁控 C020399．0％，Bi20399．94％，Cr20399．0％，Sb203 溅射；溅射功率；退火温度 99．0％)，按照一定摩尔分数比配方。采用玛瑙球和不 中图分类号：TB43；TN305．92文献标识码：A 锈钢罐，在行星式高能球磨机(ND2—2I。型球磨机)中 文章编号：1001-9731(2011)03-0444—04湿磨，在70℃烘干，过标准分样筛。将过筛粉中加入 质量分数为2％的PVA水溶液，再过标准分样筛。用 1 引 言 手动压力机压制成圆片状的生坯。将生坯用ZnO粉 ZnO压敏电阻器以其优异的非线性和高浪涌吸收 包覆，置于刚玉坩埚中，放于硅钼棒高温电炉中．以 能力被广泛应用于电子电路的保护中。近年来，随着 5℃／min速率升温至烧结温度950℃，空气气氛中保温 电子产品向微型化、薄型化、集成化和多功能化的方向 2h，随炉冷却后即得D50mm×3mm靶材。 发展，要求压敏电阻器低压化…。目前制备ZnO低压 2．2 Zno／si(111)薄膜的制备 压敏电阻器的主要方法有：通过控制ZnO晶粒生长的 选单晶硅片为衬底，将其置于无水乙醇中超声清 圆片式低压压敏电阻器；采用片式元件制备技术的多 层叠片式低压压敏电阻器；采用薄膜制备技术的ZnO 低压压敏电阻器【2J。Zno陶瓷薄膜厚度极小，可在几空多功能离子束溅射与磁控镀膜装置进行射频磁控溅 百纳米到几微米之间调节，因此在制备压敏电压低于 射镀膜，本底真空度优于8×10。Pa，溅射气压为3．3 5V的小功率压敏电阻器方面具有十分好的潜力和优 势【3]。ZnO陶瓷薄膜的制备方法较多，主要有磁控溅 退火处理。 射法…、脉冲激光沉积(PLD)[5]、分子束外延 2．3测试设备 (MBE)[引