深亚微米集成电路制造中刻蚀机理工艺研究及应用.pdfVIP

第一章 刻蚀 工艺介绍 第一节 刻蚀工艺 的发展 所 谓蚀 刻 是用 化 学或者物理方 法有 选择地 从硅 片表面 去 除不 需要 的材 料 的过程 [’]。 蚀刻 的基本 目标是在涂胶 的硅 片上 正确地 复制掩膜 图形 。有 图形 的光刻胶层在蚀刻 中不 受到腐 蚀源 显著 的侵蚀 。这 层掩 蔽膜用来在蚀 刻 中保护硅 片上 的特 殊 区域 而 原则选择 性 的刻蚀 未被 光刻胶 保护 的区域 。图 1.1 给 出了在 集 成 电路制造过程 中图形转 移 的典型步 骤 。 l一i及b t 加k\我娜毕 井沙妙 叮脚 兰 S U b stf 丘t { n 加1 月仁P 书 1ti仆口 P h 磁 c 理’幼鱿 扭即 ljc a ti。口 E 工P 沉 u r祀 一弩 缨一夔…弩- E tc h 口j盆 k‘ 嘿 爵 嘿 ~ 二 ~ 一产~ 一 祠’…一 洲 rk 、吧l叩 [11赴rlt 〔t仁h in 从 I屯 〔‘i鱿 r 〔n l。、汪- 图 1.1 集成 电路制 造 过程 中图形转移 的典 型步骤 通 常 的工 艺流程 中刻蚀 都是在 光刻工 艺之 后进 行 的，所 以刻蚀可 以看 成在硅 片上 复 制 所 想要 的 图形 的最后主要 图形转移 工艺步骤 。蚀 刻 工 艺 的正确行进 是很 关键 的，蚀 刻 的结果 决定 了图形转移 的精度 ，因此直接 影 响集 成 电路 的性 能 。并且 一旦材 料 被蚀 刻 去 掉 ，在蚀 刻过程 中所犯 的错 误将难 以纠 正 。 通 常一个好 的的刻蚀工 艺应 该包含 以下特 性 : 了 良好 的刻蚀速 率均 匀性 ，不仅仅 是片 内的均 匀性 ，还包括 片与片之 间 ，批 次与 批 次 之 间 。 了 高选 择 比，被刻蚀 材料 的刻蚀速 率远 大于光刻胶和衬底 的损 失率 。 了 无残 留 ，刻蚀 过程 中不应 生成 不挥 发 的 、难 以去 除 的刻蚀 副产 品和 微 粒 。 了 低 的器 件 损伤 ，即在刻蚀 过程 中不应 产 生任何对衬底 、薄膜 以及器 件 的 电损 伤 或 等 离子 损 伤 。 / 可 控 的 良好 的侧壁 形貌 和 良好 的特 征 尺 寸 (Cr iticalDim ellsion)控制 。 了 获 得 可接 受 的产 能 的蚀 刻 速 率 。 了 宽 的工艺制造 窗 口(Proces:w indow )。 刻蚀 工 艺在集 成 电路制造 过程 的发展基 本经 历 了从湿 法刻蚀 到干法 刻蚀 的过程 。 1.1.1 湿法刻蚀 在集成 电路发展 的早期 即 60 年 代 到 70 年代 中期 ，由于线 宽 比较 大 ，集成 的电路元 件 也少 ，湿法刻蚀被用来作 图形转移 。它把硅 片浸泡在 一定的化学试 剂或试剂溶液 中， 使 没有 被抗蚀 剂掩 蔽 的那一 部分 薄膜 表 面 与试 剂 发生化 学 反应而 被 除去 。这种 在液态 环 境 中进 行刻蚀 的方法 称 为 “湿 法 ”刻蚀 。例如 ，用氢 氟酸溶 液来刻蚀 二氧 化硅 ，用 氢氟酸 和 硝 酸 混 合液来 刻蚀硅 ，而氮 化硅 则用 热磷酸 来刻蚀 。反应 方程 式 如下 : 5 10 2 + 6H F 今 H ZSIF 6 + ZH ZO (1.1) 5 1+ ZH N O 3 + 6H F 令 H ZS IF 6 +