KJ霍尔效应分解.ppt

一、霍尔效应的原理 如果在一块矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流，在Z轴方向上加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向（即Y轴方向）上产生电势差，这一现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。 二、实验仪器 （2）能斯特效应 由图所示由于输入电流端引线a、b点处的电阻不相等，通电后发热程度不同，使a和b两端之间出现热扩散电流，在磁场的作用下，在c、e两端出现横向电场，由此产生附加电势差，记为 。其方向与 无关，只随磁场方向而变。 （3）里纪-勒杜克效应 由于热扩散电流的载流子的迁移率不同，类似与厄廷豪森效应中载流子速度不同一样，也将形成一个横向的温度梯度，产生附加电势差，记为 ，其方向只与磁场方向有关，与 同向。 副效应的消除 根据以上副效应产生的机理和特点，除厄廷豪森副效应 外，其余的都可利用异号测量法消除影响，因而需要分别改变 和B的方向，测量四组不同的电势差，然后做适当数据处理，而得到 。 四、知识扩展 1.霍尔效应仪器 hall8800 Lehighton 1610E 2.变温霍尔效应 为了研究霍尔参数随温度的变化情况，就要进行变温霍尔效应测量。 样品温度由77K到420K范围之间连续变化。样品放入装有液氮的杜瓦瓶内，冷到77K后，再放入磁场测量，同时样品外紫铜套绕有加热用的电阻丝，可进行高温测量. 以σ随T的变化为例 (1) 低温区：在低温区杂质部分电离，杂质电离产生的载流子浓度随温度升高而增加，而且μp在低温下主要取决于杂质散射，它也随温度升高而增加。因此，σ随T的增加而增加，见图中（a）段。 (2) 室温附近：此时杂质已全部电离，载流子浓度基本不变，这时晶格散射起主要作用，使μp随T的升高而下降，导致σ随T的升高而下降，见图中（b）段. (3) 高温区：在这区域中，本征激发产生的载流子浓度随温度升高而指数地剧增，远远超过μp的下降作用，致使σ随T而迅速增加，见图中（c）段. 3.霍尔效应应用 （1）温度测量 设在某一基准温度T0时,感生电势为: 　　Ug0=Kg0·B·I10 　　式中:I10为温度T0时电流计的数值;Kg0为温度T0时导体薄片的灵敏度。 　　当温度升到T时,感生电势为: 　　Ug=Kg·B·I1 　　式中:I1为温度T时电流计的数值;Kg为温度T时导体薄片的灵敏度; 　　又Kg=Kg0(1+αt),其中α为感生电势温度系数,t=T-T0为相对于基准 温度的温差。 　　 整理得: 　　 由上式可知,可以用于温度的测量,为了提高温度测量的灵敏度,可以选择感生电势温度系数α小的霍尔元件。 （2）磁场测量 利用霍尔公式我们可以知道,只要知道UH,KH,IS等值即可以利用此式计算出磁感应强度B,UH可用毫伏计测量,KH,IS可由相应的仪器测量,因此就很容易的测量出B值. * * Edwin Hall（1855～1938） 霍尔效应是霍尔 (Hall)24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。 - - - - - + + + + + 电场力和洛伦兹力相等时，有： 电流与漂移速度的关系： 霍尔电压与场强的关系： 霍尔参数 霍尔灵敏度 载流子浓度 霍尔系数 电导率 迁移率 霍尔效应测试仪 霍尔效应实验仪 由电磁铁（2500GS/A）、霍尔样品及调节架、双刀双掷开关构成。 霍尔效应实验仪的部件之一：电磁铁（2500GS/A） 霍尔样品及调节架 调节架上的水平和垂直刻度 霍尔效应测试仪 （1）厄廷豪森效应 1887年厄廷豪森发现，由于载流子的速度不相等，它们在磁场的作用下，速度大的受到的洛仑兹力大，绕大圆轨道运动，速度小则绕小圆轨道运动，这样导致霍尔元件的一端较另一端具有较多的能量而形成一个横向的温度梯度。因而产生温差效应，形成电势差，记为 其方向决定于 和磁场B的方向，并可判断， 始终同向。 三、副效应及其消除方法 1 2 3 4 a b c e 1 不等电势差 不等电势差是由于霍尔元件的材料本身不均匀，以及电压输入端引线在制作时不可能绝对对称地焊接在霍尔片的两侧，如图所示。因此，当电流 流过霍尔元件时，在电极3、4间也具有电势差，记为 ，其方向只随 方向不同而改变，与磁场方向无关。 3 2 4 c e 2.变温霍尔效应 3.霍尔效应应用 1.霍尔效应仪器 L