电化学氧化时间对阵列多孔硅形貌的影响.pdfVIP

E一019 电化学氧化时问对阵列多孔硅形貌的影响 汪帱刘剐黎学明 F小¨，l f重庶大学化学化工学院，重庆．400030E—mail：xuemingli@cqu 自20世纪50年代发现多孔硅以柬，其应用领域逐渐拓宽；其中，具肯定孔径和孔间距分布 的阵列多孔硅因其高一致性和『氐折射系数的物理特性，也逐渐受到人们的重视．它在光电子，光予． 生物医学和MEMs领域的应用正日盏增多””．本史承用电化学氧化．}，在预光到图寨的硅片上制 备得到阵列多孔硅，并考察氧化时间对阵列多孔硅孔径和孔深的影响． 1实验 1．1仪嚣、材料与试剂 c}m德国Wakerfl学t司)，HF、HCI．羌 公司)，P型单晶硅片(晶1面方向(100，电阻翠7～13Ij 木乙醇．丙酮、氨水lImONaOH均为分析纯． 1．2实驻过程