第5章存储体系和结构试卷.ppt

5.4 主存储器的连接与控制 5.4.3 主存储器和CPU的连接 1.主存和CPU之间的硬连接 主存与CPU的硬连接有三组连线：地址总线（AB）、数据总线（DB）和控制总线（CB）。此时，我们把主存看作一个黑盒子，存储器地址寄存器（MAR）和存储器数据寄存器（MDR）是主存和CPU之间的接口。MAR可以接受来自程序计数器的指令地址或来自运算器的操作数地址，以确定要访问的单元。MDR是向主存写入数据或从主存读出数据的缓冲部件。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (2)双译码方式 双译码方式又称为重合法。通常是把K位地址码分成接近相等的两段，一段用于水平方向作X地址线，供X地址译码器译码；一段用于垂直方向作Y地址线，供Y地址译码器译码。X和Y两个方向的选择线在存储体内部的一个记忆单元上交叉，以选择相应的记忆单元。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 双译码方式对应的存储芯片结构可以是位结构的，则在Z方向上重叠b个芯片。 也可以是字段结构的。 X选择线 Y选择线 …… …… 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 对于字段结构的存储芯片，行选择线为M/s根，列选择线为s，K位地址线也要划分为两部分：Kx＝log2M/s，Ky＝log2s。 双译码方式与单译码方式相比，减少了选择线数目和驱动器数目。存储容量越大，这两种方式的差异越明显。 256 256 256 256 8 8 双译码 65536 65536 16 单译码 驱动器数 选择线数 占用地址位 译码方式 5.3 半导体随机存储5和只读存储器 3.RAM的读/写时序 (1)SRAM读/写时序 读周期表示对该芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间。在此期间，地址输入信息不允许改变，片选信号CS在地址有效之后变为有效，使芯片被选中，最后在数据线上得到读出的信号。写允许信号WE在读周期中保持高电平。 写周期与读周期相似，但除了要加地址和片选信号外，还要加一个低电平有效的写入脉冲WE，并提供写入数据。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (2)DRAM读/写时序 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 5.3.4 半导体只读存储器（ROM） ROM的最大优点是具有非易失性，即使电源断电，ROM中存储的信息也不会丢失。 1.ROM的类型 ROM工作时只能读出，不能写入，那么ROM中的内容是如何事先存入的呢？我们把向ROM写入数据的过程称为对ROM进行编程，根据编程方法的不同，ROM通常可以分为以下几类： 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (1)掩膜式ROM（MROM） 它的内容是由半导体生产厂家按用户提出的要求在芯片的生产过程中直接写入的，写入后任何人都无法改变其内容。 (2)一次可编程ROM（PROM） PROM允许用户利用专门的设备（编程器或写入器）写入自己的程序，但一旦写入后便无法改变，因此它是一种一次性可编程的ROM。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 通常，生产厂家提供的PROM芯片初始内容为全“0”，用户根据自编的程序，使用编程器外加足够大的电压（或电流），将“1”写入相应位，PROM的编程是逐位进行的。常见的PROM根据写入原理可分为两类：结破坏型和熔丝型。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (3)可擦除可编程ROM（EPROM） 这种ROM的内容不仅可以由用户利用编程器写入，而且可以对其内容进行多次改写。但要注意的是：在+5V的电源条件下只能读出不能写入，用编程器写入信息时必须用+25V的高压。与前两种ROM相比，EPROM使用起来最为方便，因此应用非常广泛。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 UVEPROM（紫外线擦除） 用紫外线灯进行擦除的，所以只能对整个芯片擦除，而不能对芯片中个别需要改写的存储单元单独擦除和重写。 EEPROM（电擦除） 用电气方法来进行擦除的，它在联机条件下可以用字擦除方式擦除，也可以用数据块擦除方式擦除。以字擦除方式操作时，能够只擦除被选中的那个存储单元的内容；在数据块擦除方式操作时，可擦除数据块内所有单元的内容。 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (4)闪速存储器（flash memory） 一种快擦写型存储器，它的主要特点是：既可在不加电的情况下