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半导体物理 光电工程学院微电子教学部 冯世娟 fengsj@cqupt.edu.cn 第三章 半导体中载流子的统计分布 引言 半导体的电导率直接依赖于导带电子和价带空穴的多少，因此电子在各个能级上如何分布是个根本问题。 前面我们提到半导体是热敏的。这是因为在平衡时，半导体中的载流子是由热激发产生的。处于低能级上的电子，如价带电子，可以从晶格的热振动或晶体中的热辐射获得能量，跃迁到高能态导带中去。温度愈高，热激发愈频繁，因此载流子的多少与温度有密切联系。这一章就是要讨论在包括有杂质存在的半导体中载流子的数目及其随温度的变化。 引 言 热平衡和热平衡载流子 本征激发：电子+空穴 杂质电离：电子or空穴 同时，电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定的能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少。这一过程称为载流子的复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合将达到动态平衡——热平衡状态。 这时，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 引 言 引 言 解决问题的思路：热平衡是一种动态平衡，载流子在各个能级之间跃迁，但它们在每个能级上出现的几率是不同的。 要讨论热平衡载流子的统计分布，首先要解决下述问题： 1）载流子在允许的量子态上的分布函数（几率函数） 2）允许的量子态按能量如何分布——能量状态密度g（E） 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 1. 费米分布函数f（E） 3.2 费米能级和载流子的统计分布 费米分布函数的性质 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 费米—狄拉克统计只容许每个量子态最多被1个电子占据（每个能级最多被2个自旋相反的电子占据——泡利不相容原理）。 在f ~ 0的情况下，这种限制所带来的影响将是很小的。因此费米分布和玻尔兹曼分布趋于一致。 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 2. 导带电子和价带空穴浓度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3. 载流子浓度的乘积 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3 本征半导体的载流子浓度 本征载流子浓度的意义 可作为判断半导体材料的热平衡条件。当半导体处于热平衡时，载流子浓度的乘积n0×p0保持恒定，如果电子的浓度增加，则空穴的浓度要减少；反之亦然。 ——针对非简并半导体而言 因此，若已知ni和一种载流子浓度，则可根据上式求出另一种载流子浓度。 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 可以证明 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 几个概念 3.4 杂质半导体的载流子浓度 2. 单一杂质半导体中的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 讨论： →0时，低温弱电离区 1时，强电离区 3.4 杂质半导体的载流子浓度 注意a 低温弱电离区 强电离区 3.4 杂质半导体的载流子浓度 注意b 弱电离与强电离的区分 3.4 杂质半导体的载流子浓度 (4)过渡区（强电离区→本征激发区） 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 讨论 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 小结（对于n型半导体）——EF随T的变化 3.4 杂质半导体的载流子浓度 小结——电子浓度n0随T的变化 3.4 杂质半导体的载流子浓度 小结——EF随ND的变化 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3. 少数载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 与杂质浓度的关系 与温度的关系 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 例题1 室温下