Se掺杂对单层MoS2电子能带结构和光吸收性质的影响.pdfVIP

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2017-06-14 发布于北京
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Se掺杂对单层MoS2电子能带结构和光吸收性质的影响.pdf

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Se掺杂对单层MoS2电子能带结构和光吸收性质的影响.pdf

物理化学学报(Wu/i Huaxue Xueb ao) Oecember Acta Phys. -Chim. Sin. 2016,32 (12),2905-2912 2905 [Article] doi: 1 0.3866/PKU.WHXB20 1609201 .cn Se掺杂对单层MoS 电子能带结构和光吸收性质的影响 2 桑胜波. 李刚陈敏强赵世雄李朋伟胡杰侯静静 (太原理工大学信息工程学院，新型传感器和智能控制系统数育部重点实验室微纳系统研究中心，太原 030024) 能带结构和光吸特性，并分析了对其摘要:基于密度泛函理论的第一性原理方法，计算了Se掺杂单层MoS 2 为直接带隙结构，禁带宽度为光解水性质的影响。结果表明:本征单层MoS 1.740 eV，导带底电位在H/H 2 2 还原势之上0.430eV，价带顶电位在OJH 0的氧化势之下0.080 eV，具有可见光催化分解水的能力，但氧 2 化和还原能力不均衡，导致单层MoS 作为光催化剂分解水的效率不高。通过Se掺杂计算发现，单层MoS z z 的祭带宽度变为 1.727 eV，相应的光吸收谱变化幅度几乎不变，且体系的形成能较低，表明其热力学稳定性良好. 然而，导带底电位调整jtJ H/H 还原势之上0.253 eV，价带顶电位处于OJHzO 的氧化势之下0.244