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* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 第四章 金属-半导体结 金属－半导体结由金属和半导体接触形成的。金属－半导体接触出现两个最重要的效应：整流效应和欧姆效应，若二者有整流作用，则叫整流接触，反之，叫欧姆接触。这是由于金属与半导体相接触时在半导体表面形成一个“表面势垒”这种因金属－半导体接触引起的表面势垒，通常称为“肖特基势垒”。 整流结是形成通常肖特基势垒二极管或热载流子二极管的基础； 非整流结不论外加电压的极性如何都具有低的欧姆压降，而且不出现整流效应。 金属－半导体器件中最主要的有肖持基势垒二极管和肖持基势垒效应晶体管。 前言 表面势垒 一 肖特基势垒 金属与半导体接触时，会发生载流子的流动：它是由于金属和半导体中电子能量状态不一样，使得电子从能量高的地方到能量低的地方。电子流向取决于两者“功函数”（溢出功）的相对大小。 功函数：把一个电子从费米能级移到真空能级所需做的功 亲和势：把一个电子从导带底移到真空能级所需做的功 当把N型半导体与一个比它功函数大的金属紧密接触时，此时，金属的费米能级小于半导体的费米能级，半导体中的电子能量较大，一部分电子很容易的进入金属。使得金属因多余电子而带负电，半导体因缺少电子而带正电。金属中的负电荷是以电子的形式存在的，其密度很高，在N