第四章-光电成像器件剖析
* * * * * * * * * * * * * * * ??? 在低照度下,CCD的输出电压与照度有良好的线性关系。照度超过1001x以后,输出有饱和现象。 3光电特性 4光谱特性 44万(768*576)、100万(1024*1024)、200万(1600*1200)、600万(2832*2128) CCD光谱响应与光敏面结构、光束入射角及各层介质的折射率、厚度、消光系数等多个因素有关。 5分辨率:实际中,CCD器件的分辨率一般用像素数表示,像素越多,则分辨率越高。 四、CCD摄像器件 2048 × 2048 面阵CCD 5000像元线阵CCD 1. 三相单沟道线阵CCD 2. 双沟道线阵CCD 3. 面阵CCD摄像器件 (1) 三相单沟道线阵CCD 放大器 结 构: 转移栅 光敏区 CCD移位寄存器 1 线阵列CCD摄象器件 放大器 工作过程: 光 敏 区 转 移 栅 移 位 寄 存 器 (1) 三相单沟道线阵CCD 工作过程: 三相时钟脉冲 视频信号输出 (1) 三相单沟道线阵CCD 光 敏 区 转 移 栅 移 位 寄 存 器 放大器 特点:单沟道传输的特点是结构简单,但电荷包转移所经过的极板数多,传输效率低。 (1) 三相单沟道线阵CCD (2) 双沟道线阵CCD 特点:双通道传输的特点是结构复杂一些,但电荷包转
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