自旋电子元件（Spin-FET）之基础及应用研究.PDFVIP

自旋電子元件(Spin-FET)之基礎與應用研究 張慶瑞 台大物理系 簡介 由於超薄磁性膜的製程與性質的突飛猛進，巨磁組(GMR)在1988年在多層 磁性膜中被發現。起初，工業應用研究均集中在高密度讀取磁頭的研發上，但很 快的便認知也可以應用再隨機存取記憶體(MRAM)上，目前Motorola已經提供選 定的元件廠4M的 MRAM，並宣稱2005年底將在手機上使用MRAM。磁性邏輯 元件也是目前業界積極研發的方向，Spin-FET自從Datta-Das 提出想法後，立即 有許多實驗出現，但在磁性與半導體介面間過低的自旋注入率是磁性邏輯元件最 大的困難。然而最近世界中的研究顯示運用自旋的自由度來製作電子元件是必然 的趨勢，而自旋電子元件也將是新一代的元件，但其成熟將有賴於半導體與磁性 專家的共同合作與努力。 自旋電子元件研發團隊: 材料製作與物性量測: 許仁華(物理系), 張顏暉(物理系),徳(物理系), 梁啟 元件設計與製作:許仁華(物理系), 張顏暉(物理系),徳(物理系), 李嗣涔 梁啟 (電機系) 理論分析: 張慶瑞(物理系) 近期成果 (1)鐵磁/InAs/鐵磁 自旋元件(張慶瑞) 利用鐵磁層的高自旋電流進入二維電子氣內，由於有較長的平均自由路徑， 同時有因spin-orbital耦合而來的Rashbar效應，導致二維電子氣內的上旋電子與 下旋電子產生能階劈裂。也因此出現了自旋相關傳輸。兩層鐵磁層的磁化方向改 變時，傳輸的電導率會有顯著變化，甚至會因gate voltage 的變化而有正負的強 大改變。如同圖一與圖二顯示，這也使得spin-FET成為可能新的自旋電子元件。 圖一 ：再不同載子密度時，自由層的磁化改變時對導電率的影響 圖二 ：再不同載子密度時，兩鐵磁層的磁化改變時對導電率的影響 (2)自旋電子元件專用之高真空濺鍍腔之設計與製作 (許仁華，李嗣 涔) 主要工作在設計與製作一專用於製作自旋電子元件之高真空濺鍍 腔，主要完成下列事項 1. 了解如何連接原有之VG-80(MBE) 與新設計之高真空濺鍍腔. 2. 確認高真空濺鍍腔之規格. 3. 工廠測試高真空濺鍍腔之性質. 4. 裝設高真空濺鍍腔(圖三) 5. 現場校正高真空濺鍍腔 6. 測試高真空濺鍍腔 (圖四) 目前完成基本測試並將開始製作自旋電子元件相關介面及材料研發 圖三﹔新完成之高真空濺鍍腔 In-Lab Testing Steps Pumping speed Ultimate壓 Vacuum Test Test Testm 力 Heating Test Maximum TemperatureTemperature Stability Mechanical Test Positioning control Rotation and revolving Working Pressure control Sputtering Capability Test Gas Flow Control 圖四﹔測試流程圖 (3) 鐵磁半導體GaMnAs 的性質研究 (張顏暉) 鐵磁半導體的研發一直是自旋電子元件的主要方向之一，除了找尋室溫居禮溫度 的材料之外，它也是自然的最佳自旋邏輯元件中最好的鐵磁層來源。本研究著重 於材料與物性的分析，除利用 SQUID量測磁性外，也在低溫高磁場下量測電子 傳輸的特性，初步結果顯示磁性測量之 與電阻量測之 是彼此符合的。結果可見 圖五至圖十。 圖五﹔長在 GaAs 緩