模电演示文稿(第二章).pptVIP

应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （1）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） 2.4二极管基本电路及其分析方法 例2.4.2 提示 应用举例 2. 限幅电路 2.4二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.5.1 稳压二极管 一、 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 2.5特殊二极管 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 2. 稳压二极管主要参数 一、 稳压二极管 2.5特殊二极管 一、 稳压二极管 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加R可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ 2.5特殊二极管 * 2.1 半导体的基本知识 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 稳压二极管 2.2 PN结的形成及特性 2 半导体二极管及其基本电路 2.1 半导体的基本知识 一、半导体材料 二、半导体的共价键结构 三、本征半导体 四、杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 一、半导体材料 2.1半导体的基本知识 二、半导体的共价键结构 硅晶体的空间排列 2.1半导体的基本知识 二、半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 2.1半导体的基本知识 三、本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 2.1半导体的基本知识 空穴的移动 2.1半导体的基本知识 四、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 2.1半导体的基本知识 1. N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2.1半导体的基本知识 2. P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 2.1半导体的基本知识 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质 2.1半导体的基本知识 2.2 PN结的形成及特性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 三、PN结的反向击穿 四、PN结的电容效应 N P + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - E N P + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - 一、PN结的形成 2.2PN结的形成及特性 消弱内建电场E N P + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - E N P + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - 热平衡（动态平