nandflash时序.docx

?三星系列的NAND FLASH芯片容量从8MB到256MB（最近听说有1G容量的了），对于需要大容量数据存储的嵌入式系统是一个很好的选择，尤其是其接近1MB/元的高性价比，更是普通nor flash无法比拟的。本文以K9F2808U0C为例，采用AVR芯片连接，进行了初步的读写试验，完成了芯片的ID读出功能。?电路连接如下图：?左边是所使用的AVR芯片ATmega16L的局部电路，右边是K9F2808芯片的连接图，数据/地址总线使用ATmega16的PORTB端口连接，其它全部所需信号线使用IO连接，组成了IO模拟方式。?K9F2808芯片的全部命令字如下：?其中，Read1读取的是普通数据存储区域的数据，Read2读取的是每页存储器附加的16Bytes区域的数据；Page Program可以编程一页最大528Bytes的数据，Block Erase擦除指定页面数据，Read Status可以读取芯片状态。?芯片的整个读写时序可以分解为4个基本步骤，即1、命令写入，2、数据写入，3、数据读出，4、地址写入。?1、命令写入时序如下：?对应函数为：?void WriteCmd(unsigned char cmd)?{?nandPortD = 0xFF;?ClsLine(nandSPortO,nandALE);?ClsLine(nandSPortO,nandnCE);?SetLine(nandSPortO,nandCLE);?ClsLine(nandSPortO,nandnWE);?nandPortO = cmd;?SetLine(nandSPortO,nandnWE);?ClsLine(nandSPortO,nandCLE);?SetLine(nandSPortO,nandALE);?}?2、数据写入时序如下：?对应函数为：?void WriteByte(unsigned char Wdata)?{?nandPortD = 0xFF;?SetLine(nandSPortO,nandnWE);?ClsLine(nandSPortO,nandCLE);?ClsLine(nandSPortO,nandnCE);?ClsLine(nandSPortO,nandALE);?ClsLine(nandSPortO,nandnWE);?while((nandSPortI nandRnB) != nandRnB); // wait busy end?nandPortO = Wdata;?while((nandSPortI nandRnB) != nandRnB); // wait busy end?SetLine(nandSPortO,nandnWE);?}?3、数据读出时序如下：?对应函数为：?unsigned char ReadByte(void)?{?unsigned char Rdata;?nandPortD = 0x00;?SetLine(nandSPortO,nandnWE);?ClsLine(nandSPortO,nandCLE);?ClsLine(nandSPortO,nandALE);?ClsLine(nandSPortO,nandnCE);?ClsLine(nandSPortO,nandnRE);?while((nandSPortI nandRnB) != nandRnB); // wait busy end?Rdata = nandPortI;?while((nandSPortI nandRnB) != nandRnB); // wait busy end?SetLine(nandSPortO,nandnRE);?return Rdata;?}?4、地址写入时序如下：?对应函数为：?void WriteByteAdd(unsigned char Add)?{?nandPortD = 0xFF;?SetLine(nandSPortO,nandnWE);?ClsLine(nandSPortO,nandnCE);?ClsLine(nandSPortO,nandCLE);?SetLine(nandSPortO,nandALE);?ClsLine(nandSPortO,nandnWE);?nandPortO = Add;?SetLine(nandSPortO,nandnWE);?while((nandSPortI nandRnB) != nandRnB); // wait busy end?ClsLine(nandSPortO,nandALE);?}?其余操作方式均从这四种基本操作组合变化而来，适当调用或者重新编写其中的某些语句就能完成全部的K9F2808芯片读写操作。?下面以读K9F2808芯片ID为例调用以上函数完成。?