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磁头表面氟代硅烷自组装膜的制备和表征.pdf
清华大学学报(自然科学版)
1实验 2结果与讨论
1．1实验试剂 2．1 FTE自组装膜的结构分析
实验中使用1H，1H，2H，2H一全氟癸烷基三乙有机硅烷自组装膜是通过有机硅烷分子水解后
与基体表面羟基发生缩和形成的，同时相邻分子间
氧基硅烷(1H，1H，2H，2H—perfluorodecyltriethoxy—
发生缩和形成Si—Osi的网状结构。磁头表面镀
s订ane，CF3(cF2)7(CH2)2Si(OcH2CH3)3，简记
FTE)；电子级N一甲基吡咯烷酮(NMP)、电子级异
丙醇(IPA)、磁头表面已镀2nm类金刚石
(diamondlike 羟基，因此DLC表面(亦磁头表面)可以制备有机硅
carbon，DLC)薄膜。
烷自组装膜。磁头表面生长FTE自组装膜后，如图
1．2实验条件和制备过程
首先对样品预清洗，即NMP两次刷洗，IPA
中心分别位于282．672eV(峰1)、284．479eV(峰
90℃
常温超声清洗4次(10min／次)，最后通过IPA
2)、286．439eV(峰3)、287．905
的蒸汽清洗。配置溶液和制备FTE自组装膜都在密
eV(峰5)和293．9eV(峰6)，与之结合能相对应的
闭的手套箱内完成。当实验用品放入手套箱后，密
封并通入氮气，保持箱内湿度4％～6％，温度
键、表面吸附的c—O键、FTE分子与基体结合的
(20±5)℃。以异辛烷为溶剂在容量瓶中配置溶液
C—O
浓度为10mmo卜L～。溶液配置完毕，将手套箱的
组装膜C1s谱中在287．905eV位置对应的C—O—
湿度调节到45％～50％，再将经过预清洗的样品放
入已注入配制一定浓度的烧杯中(烧杯中的溶液必
和形成的，即FTE自组装膜通过CO—si键与
须完全淹没样品)制备自组装膜，按不同的反应时间
取出样品并标记。然后对制膜后的样品进行与预清
等人[81测得的CO—si峰值287．5eV吻合(其
洗相同的清洗步骤，清洗完的样品用氮气吹干。最后
eV)。
C1s标定为284．2
将样品放入无尘炬炉里，在120℃下干燥30min。
1．3测试仪器
II
TRIFT
使用PHI ToF—sIMS测量膜厚。分析
样品采用Ga+脉冲离子束为轰击源。Ga+脉冲离子
束的能量为15keV，抽出电流为2肛A，离子束电流
为600 ns，脉冲频率为
pA，脉冲宽度为17．5
10kHz，离子束扫描范围为100肛m×100弘m，扫描
时间为2min。
2000
使用PHIQuantumx射线扫描化学分析
电子探针能谱仪分析自组装膜结构。XPs在分析中
以单色化AlKaX射线作为激发源，能量为
1 486．6
eV、电压为15kV、功率为25w、束斑直径
为100”m。以284．6eV标定CH。峰最大值，结合能
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