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碳化硅 SiC_SBD__CHI
ROHM’s SiC SBD
Characteristics and Benefit
2011. １Q
Confidential c 2011 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved
ROHM的SiC功率器件的开发・生产体制
ROHM 从SiC棒到功率器件／模组实行一条龙开发・生产体制，
安定提供高品质・最先端的产品。
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ROHM SiC功率器件的产品线
SiC SBD SiC MOSFET SiC Power Module
特点 ⁃ 恢复电流 小 ⁃ 开关损耗 小 ⁃ SiC模组
⁃ 温度・电流依存性 小 ⁃ 单位面积导通电阻小 （规格：1200V 100A）
⁃ 与他公司SiC SBD比 低Vf
计划 ⁃ 600V ：2010年4月量产开始 ⁃ 定制品2010年10月量产开始 ⁃ DS样品: 2011年7月开始提供
⁃ 1200V：2011年5月量产预定 ⁃ CS样品: 2011年10月开始提供
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ROHM SiC SBD的优点
与Si FRD比较 与他公司SiC SBD比较
恢复电流特别小 Vf小
对温度・电流的依存性极小
低开关干扰 另加・・・
SiC芯片由自社开发・生产
可以保证安定交货
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ROHM SiC SBD的优点
逆恢复特性和对温度・电流依存性電流依存性
没有逆恢复动作，开关损耗大幅降低，对温度・电流依存性特别小。
温度依存性比较 (600V 5A)
开关波形的比较(600V 10A) 100
80 Si FRD
12
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10 c 60
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