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第二章 常见电子元件;自然界中物质按导电能力分为三大类： 导 体—很容易导电的物质。如银、铜、金、铝等。 绝缘体—不导电的物质。如塑料、陶瓷等。 半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间。 常用的半导体材料有锗、硅等。;1、本征半导体的原子结构;（1）在绝对温度T=0?K（-273 ?C）时，半导体相当于绝缘体。 ;（2）本振激发现象： 常温下或受到光照时，半导体中存在二种等量的载流子：自由电子和空穴，具有了导电能力。 ;（3）复合：在本征激发的同时，游离的部分自由电子回到空穴中去的现象。;（4）半导体如何在外电场的作用下导电？ 自由电子在晶体中的定向运动； 价电子在共价键中填补空位形成的定向运动； ;;2.2.2 杂质半导体;1. N型半导体;2. P型半导体;2.2.3 PN结的形成及特性;;3、PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ;;4、PN结的伏安特性 PN结的电流方程：;5、PN结的击穿特性 当外加反向电压过高时，反向电流将突然增大，这种现象称为反向击穿，存在反向击穿电压U(BR)。 击穿机理: 齐纳击穿——高掺杂至PN结较窄，低反压下产生高场强破坏共价键，激发大量的电子-空穴对； 雪崩击穿——低掺杂至PN结较宽，高反压下，通过空间电荷区的电子碰撞共价键，碰撞而产生新的自由电子-空穴对。 发生反向击穿后，PN结将失去单向导电性； ;6、PN结的电容效应 当工作频率超过一定值时，PN结的单向导电性将不复存在，其原因是PN结具有一定的电容效应。 （1）势垒电容 外加电压的变化引起了空间电荷量的变化，这就是电容效应。它发生在势垒区内，所以叫做势垒电容CB。 （2）扩散电容 扩散电容主要研究的是由非平衡少子数量变化引起的电容效应。扩散电容用用CD表示。 ;