《模拟电子技术基础》晶体管.pptVIP

C、E极间电容;压控电流源;晶体管混合π型等效模型 ;通常re、 rc很小， rce、 rbc很大，均可以忽略。;简化的混合π型等效模型;低频混合π型等效电路;晶体管混合π型低频等效电路与微变等效电路的关系;rbe= rbb+rbe ;gm的物理意义：;晶体管混合π型电路的密勒等效电路;图中;2．晶体管的高频特性和高频参数;由图可知;·;˙;由;˙;0;当;˙;的图形是由直线;0;0;当;0;fβ称为晶体管的共射极截止频率;由相频特性;由以上讨论可画出;(2) 晶体管特征频率fT;fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标 ;（3）晶体管电流放大倍数 ?= ? ( f );得晶体管共基极截止频率;晶体管共基极截止频率;2.8.4 单管共射极放大电路的频率响应 ;不同电容对电路性能的影响;不同频率区域对电容的处理原则;c. 高频区;1．中频区的频率响应;忽略RB;电压放大倍数;2．低频区的频率响应和下限截止频率 ;忽略RB;忽略RE(因RE1/?LCE);将CE等效到输入回路;将电流源转换为电压源;将输入回路电容合并;在输出回路;在输入回路;得低频区放大电路电压放大倍数;上式中，令;令;式;当C2＞＞C1;知当 时 ;当C2C1时;知当 时 ;故 旁路电容是影响电路低频性能的主要元件。;3．高频区的频率响应和上限截止频率 ;高频等效电路;对输入回路简化、等效;;对输出回路简化、等效;将电流源转换为电压源;由图可知;高频区电压放大倍数 ;.;令;或;当Ci＞＞Co;知当 时 ;当Co ＞＞Ci时;知当 时 ;名词：;当低频区只考虑一个电容C1或C2 ;讨论：;b.当;c. 当;3dB;2.8.5 放大电路的增益带宽积 ;可见，降低电路Au时，将使CM减小，fH1提高。;由上述讨论可知：;设放大电路的低高频区的等效电路均有多个惯性环节; 电路上限截止频率fH;特别地，当 （ ）时;思 考 题;例1 在图示放大电路中，已知VCC=15V, RB1=90kΩ, RB2=60kΩ, RC=RL=2kΩ,RE1= 0.2kΩ, RE2= 1.8kΩ ,C1=C2=10?F, CE=50 ?F ,Co = 1600pF。 三极管的 rbb=300Ω， β=100，UBE=0.7V, 结电容可以忽略。试求;T;解：;UCEQ=VCC－ICQRC － IEQ(RE1+RE2) ;·;(3) a. 估算法下限截止频率;(b) C2决定的下限截止频率;R;由此可得电路的下限截止频率;b. 估算法上限截止频率;(4);(5);例2 在图示电路中，已知晶体管T1、T2的电流放大系数β1 ＝β 2＝50,UBE1=UBE2=0.7V。稳压管的稳定电压UZ＝4.7V。 （1）试计算电路各级的静态工作点值。 （2）如IC1由于温度的升高而增加1％，试计算输出电压Uo变化多少？;[解] (1) 由图可知;T2;T2;故;又由于;T2;（2）由题意知，温度升高后IC1增加1％，故各级的静态值为;T2; 可见，即使没有输入信号，由于温度的变化输出端的电压也会忽高忽低的变化，这就是零点漂移。