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半导体重点 第一章 1.能带论：用单电子近似的方法研究晶体中电子状态的理论成为能带论。 2.单电子近似：即假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动的。 3.金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。半导体中，如图所示，下面是被价电子占满的满带，亦称价带，中间为禁带，上面是空带，当温度升高，或者有光照的时候，满带中有少量电子可能被激发到上面的空带中去，此时半导体就能导电了。在半导体中导带的电子和价带的空穴均参与导电，金属中只有电子导电。 4.电子公有化运动：当原子相互接近形成晶体是，不同原子的相似壳层之间就有了一定程度的交叠，电子不再完全局限在一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子可以在整个晶体中运动，这种运动就称为电子的共???化运动。 第二章 1.施主杂质：在Si，Ge中电离是能够施放电子而产生导电电子，并形成正电中心的杂质。常见V族杂质有：P，As，Sb 2.受主杂质：在Si，Ge中电离是能够接收电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质。 常见的 = 3 \* ROMAN III族杂质：B，Al，Ga，In 3．深能级：非 = 3 \* ROMAN III， = 5 \* ROMAN V族杂质在Si，Ge的禁带中产生的施主能级距导带底较远，产生的受主能级距价带顶也较远，通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质。 作用：这些深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级。因此这些杂质在Si，Ge的禁带中往往引入若干个能级，而且有的杂质既能产生施主能级，又能产生受主能级。对于载流子的复合作用比前能级杂质强，Au是一种很典型的复合中心，在制造高速开关器件是，常有意掺入Au以提高器件的速度。 4.补偿作用：在半导体中，施主和受主杂质之间的相互抵消的作用称为杂质的补偿。 （1）当N N ：为n型半导体，（2）当N N ：为P型半导体，（3）N N 时，施主电子刚好填充受主能级，虽然杂质很多，但不能向导带和价带提供电子和空穴，这种现象称为杂质的高度补偿。 利用杂质的补偿作用，可以根据需要用扩散或者离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件。 半导体中净杂质浓度称为有效杂质浓度。N –N 为有效施主能读，N –N 为有效受主浓度。 第三章 1.热平衡状态：在一定温度下，载流子的产生与复合将建立起动态平衡，称为热平衡状态。这时，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 2.状态密度：假定在能带中能量E到E+dE之间无限小的能量间隔内有dZ个量子态，则状态密度 ，它就是在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 3.简述计算状态密度的步骤：首先算出单位k空间中的量子态数，及k空间中的状态密度；然后算出k空间中与能量E到E+dE间的所对应的k空间的体积，并和k空间中的状态密度相乘，从而求得在能量E到E+dE间的量子态数dZ；最后，根据 求得状态密度。 4.推导导带底附近的状态密度表达式： 5.推导价带顶附近的状态密度表达式： 6.费米能级定义：对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率 为 称为费米能级分布函数， 称为费米能级，应用于简并状态，当 时，有 应用于非简并状态。 7．导带中电子浓度的表达式： 价带中空穴浓度的表达式： 8.电中性条件： 本征激发下的电中性条件为 。随着温度的升高，本征载流子迅速增加，禁带宽度越大，半导体器件的极限工作温度越大，本征载流子浓度相对越低。 杂质电中性条件： 9.根据n型硅中电子浓度与温度关系图解释，低温弱电离区，中间电离区，强电离区，过渡区，高温本征激发区。 如图所示，在低温时，电子浓度随温度的升高而增加。温度升到100K时，杂质全部电离，温度高于500K后，本征激发开始起主要作用。所以温度在100K到500K间杂质全部电离，载流子浓度基本上就是杂质浓度。 10.从载流子浓度乘积 中可以得出哪些结论：电子和空穴的浓度乘积与费米能级无关，对一定的半导体材料，乘积 只决定于温度T，与所含杂质无关。而在一定温度下，对不同的半导体材料，因尽带宽度 不同，乘积 也不同。这个关系式不论是本征半导体还是杂质半导体，只要是热平衡状态下的非简并半导体，都适用，且对一定的半导体材料，在一定温度下，乘积 是一定的。 11.区分简并化和非简并化的标准是什么：