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华硕超频 需要设置的选项： Legacy Diskette A Disabled (禁用软驱) 第二步 使用键盘的左右方向键将光标移动至Advanced菜单。打开手动超频选项！ Ai Overclocking Manual (开启动手动超频模式) CPU Ratio Control (CPU倍频设定) FSB Frequency (CPU 外频设定) 注：intel conroe e6320 外频为266 ，倍频为7 ，主频则为 1862MHZ ，而我们将外频提高，倍频不变，当然主频也就变了。这也就是所谓的超频。 PCIE Frequency 为了保证超频后显卡的正常工作，我们必须要对显卡的工作状态进行相关的设置， PCIE Frequency 设置一般为100MHZ DRAM Frequency （内存频率设定） 根据自己内存的体质进行设定 DRAM Command Rate (内存首命令延迟设定) 通常情况下 Auto 就好了，如果你的条子体质超强，那么开1T吧 ，这个选项如果设置成1T的话，跑测试软件出来的得分会比2T也高。 DRAM Timing Conterol （内存参数选项设定）注：平时就是Auto , 如果你要手动设置的话请选择Manual 注：新手建议就用AUTO吧，等以后水平提高了，再来学习内存小参吧，这些先项通常是越低越好，越低的话你跑测试软件的得分会更高。如SUPER-PI 之类的软件 接着来!!!!! CAS# Latency: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第1个参数, 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为3或4的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 RAS# TO CAS$ Delay: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第2个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示行寻址到列寻址延迟时间，数值越小，性能越好。 RAS# Precharge 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第3个4。DRAM RAS# Precharge (也被描述为：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示内存行地址控制器预充电时间，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 RAS# Activate to precharge 该值就是该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数。 (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（ tRAS ），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS 过长，会严重影响性能。减少 tRAS 可以使得被激活的行地址更快的复位，然而， tRAS 太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS值的时候，需要顾及tCL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。tRAS = tCL + tRCD + 2（举例，当tCL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）由于部分主板厂商并没有提供tras值全部数值，所以大家要尽量调低tras值的时候。不过一般只要是10以下的tRAS不论如何设置其性能和稳定性都不会有太大的变化，事实上从DDR起它早已经变得越来越不重要。 DRAM Write Recovery Time (tWR) DRAM Write Recovery Time是“写恢复时间”， 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。它对内存设置影响理论上应该是有一些的，但是对于高频内存来说这种程度会小很多，因此这个项