6CVD化学气相淀积.pptVIP

化学气相淀积定义： 指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为 “Chemical Vapour Deposition”，简称为 “CVD”。 本章主要内容： CVD薄膜的动力学模型、常用系统及制备常用薄膜的工艺。 （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好；（2）薄膜的成分精确可控、配比范围大；（3）淀积速率一般高于PVD；厚度范围广，由几百埃至数毫米。且能大量生产；（4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好。 6.1 CVD模型 6.1.1 CVD的基本过程 图6.1 1.主要步骤 反应剂气体→反应室内（主气流区） →通过边界层到达衬底表面（扩散方式） →成为吸附原子→在衬底表面发生化学反应，淀积成薄膜。 2.满足条件 在淀积温度下，反应剂必须具备足够高蒸汽压。 除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的。 淀积物具有足够低的蒸汽压。 薄膜淀积所用时间尽量短。 淀积温度足够低 化学反应的气态副产物不能进入薄膜中。 化学反应发生在被加热的衬底表面。 3. CVD的激活能来源：热能、光能、等离子体、激光等。6.1.2 边界层理论 边界层 1.定义：指速度受到扰动并按抛物线型变化、同时还存在反应剂浓度梯度的薄