6CVD化学气相淀积。ppt.pptVIP

化学气相淀积定义： 指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为 “Chemical Vapour Deposition”，简称为 “CVD”。 本章主要内容： CVD薄膜的动力学模型、常用系统及制备常用薄膜的工艺。;（1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好；（2）薄膜的成分精确可控、配比范围大；（3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等）；厚度范围广，由几百埃至数毫米。且能大量生产；（4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好。;6.1 CVD模型;3. CVD的激活能来源：热能、光能、等离子体、激光等。6.1.2 边界层理论;边界层 1.定义：指速度受到扰动并按抛物线型变化、同时还存在反应剂浓度梯度的薄层。也称为附面层、滞流层等。 2.厚度δ(x)：从速度为零的硅片表面到气流速度为0.99Um时的区域厚度。 3.形成机制：图6.3所示 定义从气流遇到平板边界时为坐标原点，则有 δ(x)=（μx/ρU）1/2 μ-气体的黏滞系数。ρ-气体的密度 ;边界层的平均厚度;6.1.3 Grove模型;薄膜淀积过程存在两种极限情况： ①hg﹥﹥ks， Cs趋向于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数