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 集成电路制造技术 Manufacturing Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2012.9 第三章 扩散 掺杂工艺（扩散与离子注入） 基本思想:通过某种技术措施，将一定浓度的Ⅲ价元素B，或Ⅴ价P、As等掺入半导体衬底。通过掺杂可在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。 目的：改变半导体的电特性 定义: 用人为方法，将所需的杂质，以一定方式掺入到半导体基片规定的区域内，达到规定的数量和符合要求的分布。 应用：制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区④硅栅⑤多晶硅互连线 方法：①热扩散②离子注入③合金 扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： 按掺杂源 ①固体源扩散：BN,B2O3,Sb2O3,As2O3 ②液态源扩散：B(CH3O)3,POCL3 ③气态源扩散：B2H6,PH3,ASH3 按扩散系统：开管和闭管两大类。 替位式扩散：杂质离子占据硅原子位置： Ⅲ、Ⅴ族元素 高温(950~1280℃)下进行，横向扩散严重。 对设备要求较低。 磷、硼、砷等在SiO2中的D均远小于在硅中D，可用氧化层作掩蔽层。 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu