二氧化26743.pptVIP

集成电路制造技术第二章 氧化;第二章 氧化;第二章 氧化;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.2 SiO2的掩蔽作用;;例：SiO2掩蔽P扩散 P2O5+SiO2 →PSG（磷硅玻璃）;2.3 硅的热氧化生长动力学;2.3.1 硅的热氧化;2）水汽氧化：高温下，硅片与水蒸汽反应 2H2O+Si SiO2+2H2↑ 特点：氧化速度快； 氧化层疏松－质量差； 表面是极性的硅烷醇--易吸水、易浮胶。;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长速率—氧化层厚度与氧化时间的关系;2.3.2 热氧化生长动力学;;;2.4 影响氧化速率的因素2.4.1 决定氧化速率常数的因素;2.4 影响氧化速率的因素;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素;2.4 影响氧化速率的因素;;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素;;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素;;2.4.2 影响氧化速率的其它因素;掺Cl对B的影响：使B明显增大；掺Cl对B/A的影响：低浓度时增加明显，高浓度时饱和 机理：4HCl+O2 2H2O+2Cl2;2.5 热氧化的杂质再分布;;2.5 热氧化的杂质再分布;2.5 热氧化的杂质再分布;2.6 薄氧化层;2.6 薄氧化层;2.6 薄氧化层;2.6 薄氧化层;2.6 薄氧化层;2.7 Si-SiO2界面特性;;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;2.7 Si-SiO2界面特性;第2次作业（第2组交）;第3次作业（第3组，下次上课交）