低温退火对InAsSb材料结构特性的影响.pdfVIP

第38卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．2 2009正12月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING December2009 低温退火对InAsSb材料结构特性的影响 刘晓明，李洪涛，李美成，赵连城 (哈尔滨工业大学，黑龙江哈尔滨150001) h的退火。采用x射线 摘要：用分子束外延(MBE)方法生长了InAsSb／InSb多量子阱结构，并对其进行250℃、8 光电子能谱(XPS)，通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析，研究退火对In、As、Sb3种元素价态和纵向 元素浓度分布的影响。结果表明，长时间低温退火增强了表面氧化，促使As和Sb元素发生次层原子向表层的扩散和 样品内部该两种元素的扩散。 关键词：XPS；InAsSb；扩散 中图法分类号：TB33l 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)S2．0606．03 尽管InAs和InSb的带隙对应的吸收波长都在3～原子浓度纵向分布等进行了测试。测试时通过能为50 5 tam，但通过调节lnAsl。Sb，化合物的组分参数x，其 截止波长可达到12 特征峰位置进行了窄扫描并做了离子刻蚀深度分析， lam[11。特别是近lO多年来，远红 外波段(8～12 Ar离子束电流为6mA，电压1200V，刻蚀速度约为 tam)室温工作InAsl。Sb，光电器件的报 0．6-0．8nm／s。 导使其成为最热门的红外探测材料之一[2~5J。对于 InAsSb的研究主要集中在光学性能、电学性能及光电 2结果与讨论 性能等方面。对材料微观结构的某些方面，如As、Sb 的价态情况，生长后各层的元素浓度分布等则研究得 样品退火前后表面均有吸附的C元素，C元素数 较少，而这些也直接影响着材料的性能。退火是提高 量随刻蚀深入迅速降低，仅刻蚀10S，C元素即完全 薄膜质量和实现欧姆接触常用的方法之一，所以研究 消失，退火前表面含有极少量的O元素，退火后表面 退火对元素价态和分布的影响是很有意义的。 O元素增多，但刻蚀10S后消失。 图l为退火前后In元素特征峰(In3d)的窄扫谱。 本研究以InAso．48Sbo_52为例，通过x射线光电子 由图l可知，在退火前表面和经不同程度刻蚀后的峰 能谱(XPS)研究了250℃退火对InAsSb／InSb多量子阱 微观结构的影响。 位及峰高几乎无变化，与InAs态和InSb态相对应。 退火后表面的In峰位向高结合能方向移动。除表层外 1 实 验 其他各层峰位没有变化。这是由于退火时表面In有一 定程度的氧化造成的。此外各层的In含量有明显变 用MBE方法，分别以ln、As2、Sb4为源，在GaAs 衬底上生长了35周期InAs0．48Sb0．52／InSb多量子阱。衬化：表层的In明显多于其它各层，刻蚀10s后In含 底温度通过热电偶和红外高温仪同时测得。生长过程 量降至最低，刻蚀20、30和40S后的In含量有所回 中用反射式高能电子衍射(RHEED)对材料生长时的升，且峰高几乎一致，但是没有达到表面的In量。这 表面形