半导体材料讲.ppt

半导体材料及制备;SiC;SiC的结构;SiC的半导体性质 优点;湘吐只砖兑技砍又虫槛艰器坑扑厚律师负庙试晃阉挽评补钎屯孝讽秩驮呀半导体材料讲半导体材料讲;SiC的应用;1高频器件方面 SiC材料电子迁移率较高而空穴迁移率很低，可满足高频器件需要高的载流子迁移率的要求，因而，SiC材料可以用来制作高频器件。例如在X波段(8-12GHz)工作的SiC高频大功率器件目前也已经实现，并应用到军用雷达和卫星通讯方面 用SiC材料制备的高频器件可用于通讯系统、UHF高清晰电视(HDTV)广播系统、相控阵雷达系统、电子干扰和预警系统，以及高频功率供应及微波馈入系统。与Si等高频器件相比，SiC高频器件尤其优异的特性：能获得更高的功率输出和功率密度，可以在高温强辐射环境工作，并能降低器件冷却需求、减少设备的重量和体积。 ;大功率器件方面 由于SiC材料本身性质，从而使得SiC器件可以允许更大的电流密度和更高的阻隔电压，有更大的di/dt或dv/dt值，能够实现更高的开关频率。能够实现功率应用的SiC器件有肖特基(Schottky)二极管、MOSFET、JFET、SIT、PIN二极管、IGBT、GTO晶闸管等，其中肖特基(Schottky)二极管和PIN二极管的性能已远远高于Si的相应器件。表征功率开关器件的重要参数之一是功率开关密度(power switching or VA density)，它是阻断电压与通态电流的乘积再除以占模面积(die area)。 SiC功率器件，可以用作高电压开关、功率放大器、大电流高电压整流器、电涌抑制器、固相镇流器等，在电力传输、控制，大功率设备操作中有广泛的应用前景。 ;高温应用 利用Si材料制备的器件一个优势就是能在更高温度下工作，如Schottky二极管已实现在973K下工作，MOSFET实现在923K下工作，6H-SiC JFET可在873K下工作。 正是SiC器件的高温特性使得它在许多特殊方面尤其独特的应用，如热敏、气敏传感器[、喷气发动机、汽车发动机监测，工业过程监测、烟气、尾气监测以及深井钻探等以及高密度集成电路等方面。 ;光电器件 SiC除了用作电子器件外，还可用作光电器件，如紫外光探测器、发光二极管以及利用SiC多型体制作的量子阱激光器。目前已经实现商业化的有蓝光发光二极管和肖特基势垒二极管。蓝光二极管是利用6H-SiC同时含有施主杂质N和受主杂质Al时，与这两种杂质有关的施主-受主对复合蓝色发光，其发光带的峰值波长约为470nm。肖特基势垒二极管因为没用少数载流子的储存，没有反向恢复电流，因而开关速度快，开关损耗小。 SiC紫外探测器是一种高性能高效率的光电探测器, 由于SiC对红外线辐射不响应，因而可探测红热背景下的紫外信号。可用作紫外放射性测定、紫外光谱探测、燃烧控制中的火焰探测、弹道导弹尾焰监测、空气质量监测以及血氧分析等。 ;SiC薄膜的制备方法;ZnO;ZnO薄膜的光学性质 ZnO是直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度为3.37eV，对应紫外光波长，对可见光是透明的，只有用能量大于光学带隙的光子照射时，它才会产生强烈的吸收，光子能量小于带隙的光子被透过，在400－800nm之间透过率一般在80％以上。目前，研究ZnO光学特性的实验方法有吸收，透射，反射等光谱，光致和阴极射线发光等。 利用325nm的He－Cd激光激发ZnO薄膜，光致发光谱通常有紫外发射带和可见光发射带。通过变温光谱以及改变激发密度等测量，确定紫外发射带是来自于近带边的发射，是由于激子的复合而导致的[1-4]。在低于70K时，束缚激子的复合发光占主导地位，在100K以上时，自由激子的复合发光占主导地位。ZnO薄膜室温下激光发射是激子－激子碰撞过程[5]。在中等激发密度下，紫外发射是由于激子与激子的碰撞而引起的辐射复合。在高激发密度下，激子变得不稳定，被离化成自由电子与空穴，高密度的自由电子和空穴形成电子－空穴等离子体，紫外受激发射是由于电子－空穴等离子体的辐射复合引起。而可见光发射带通常与缺陷或杂质有关的深能级有关，但它的根本起源长期存在着争论。Vanheusden等认为深能级的发射（绿光）与ZnO晶体中的氧空位有关。Egelhaaf[8]等报导了这些缺陷相关的发光可能由浅施主（氧空位）和深受主（锌填隙）之间的辐射跃迁所引起。Zhang[9]等认为绿光起源于从离子化的氧空位到价带的电子跃迁。Liu[10]等人认为深能级的发光与锌填隙和氧填隙有关。Lin和Fan等人认为绿光与从导带底到氧锌反位的电子跃迁有关;ZnO薄膜的电学性质 本征ZnO薄膜的电学性能 纯净的理想化学配比的ZnO由于带隙较宽，是绝缘体，而不是半导体，但是由于本身的缺陷，如氧空位、锌填隙等施主缺陷，使其常常表现出n型导电。但