薄膜制备的PVD法程序.pptx

薄膜材料制备的物理气相沉积法（physical vapor deposition，PVD);PVD方法;原理：利用物质在高温下的蒸发现象;真空蒸镀;Vacuum evaporation;1）电阻加热 电阻作为蒸发源，通过电流受热后蒸发成膜。使用的材料有：Al、W、Mo、Nb、Ta及石墨等。 2）电子束加热 利用电子枪（热阴极）产生的电子束，轰击待蒸发的材料（阳极）使之受热蒸发，经电子加速极后沉积到衬底材料表面。 3）高频感应加热 高频线圈通以高频电流后，产生涡流电流，致内置材料升温，熔化成膜。 4）电弧加热 高真空下，被蒸发材料作阴极、内接铜杆作阳极，通电压，移动阳电极尖端与阴极接触，阴极局部熔化发射热电子，再分开电极，产生弧光放电，使阴极材料蒸发成膜。 5）激光加热 非接触加热。用激光作热源，使被蒸发材料气化成膜。常用CO2、Ar、YAG钕玻璃，红宝石等大功率激光器。 ;真空蒸镀;闪蒸蒸镀法;真空蒸镀;反应蒸镀法;真空蒸镀;适宜镀制对结合强度要求不高的某些功能膜，如电极的导电膜、光学镜头用增透膜。 蒸镀合金膜时，较溅射成分难保证。 镀纯金属时速度快，多用来（90%）制备铝膜。 铝膜的用途广泛，在制镜业代替银，在集成电路镀铝进行金属化后刻蚀出导线。;溅射镀膜 Vacuum sputtering;产生：气体放电：电子与气体分子发生碰撞，产生等离子体 维持：等离子体中的离子与其他气体分子继续碰撞;过程图;溅射的过程;Vacuum sputtering;靶材为阴极 基片置于阳极 极间电压1-2KV 真空度1-几百Pa 放电气体：Ar 只适用于导体; 与直流溅射相似，不同之处在于阴极靶的后面设置磁场，磁场在靶材表面形成闭合的环形磁场，与电场正交。;常用直流磁控溅射 可做 铝薄膜、TiO2膜;高频溅射镀膜;活性气体混入放电气体中 可以控制膜的组成和性质;采用Cr、Cr-CrN等合金靶，在N2、CH4等气氛中进行反应溅射镀膜，可以在各种工件上镀Cr（425-840HV）、CrC、CrN（1000-3500HV），可代替电镀Cr。 用TiC、TiN等超硬镀层涂覆刀具、模具等表面，摩擦系数小、化学稳定性好，具优良的耐磨、耐热、抗氧化、抗冲蚀，在提高其工件特性的同时，大幅度提高寿命，一般可达3-10倍。 用TiC、TiN，Al2O3具有良好的耐蚀性。 可制取优异的固体润滑膜MoS2. 可制备聚四氟乙烯膜。 待镀材料，只要能做成靶材，就可溅射;真空条件下，利用气体放电使气体或蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下，将蒸发物质或在其反应物淀积在基片上。;离子镀的目的： 提高膜层与基片之间的结合强度。离子轰击可消除污染、还能形成共混过渡层、实现冶金结合、涂层致密。;（1） 空心阴极离子镀（HCD）;（2）多弧离子镀;（3）离子束辅助沉积;装饰镀膜：颜色多样，美观耐用; 零件镀膜：（1）机械零件镀TiN镀膜层（2）电气零件——在金属材料上镀SiO2，Al2O3等，用于制作各种电工零件和电子零件。（3）光学零件——在玻璃上镀SiO2，TiO2等镀膜层，用于制作各种光学零件。 其他：在铀表面镀一层铝，应用于原子能工业中的原子反应堆；制成碳化硼薄膜，可应用与制作声学器件。;thanks