薄膜制备的物理方法程序.pptx

薄膜制备的物理方法 化学气相沉积方法由于所得到的薄膜材料是由反应气体通过化学反应而实现的，因此对于反应物和生成物的选择具有一定的局限性。同时，由于化学反应需要在较高的温度下进行，基片所处的环境温度一般较高，这样也就同时限制了基片材料的选取。相对于化学气相沉积这些局限性，物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,简称PVD）则显示出独有的优越性，它对沉积材料和基片材料均没有限制。 真空蒸发 在这一章中将详细介绍物理气相沉积的原理和方法。 物理气相沉积过程可概括为三个阶段： 从源材料中发射出粒子 粒子输运到基片 粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜 真空蒸发 在真空蒸发技术中，人们只需要产生一个真空环境。在真空环境下，给待蒸发物提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结，这样即可实现真空蒸发薄膜沉积。 真空蒸发 大量材料皆可以在真空中蒸发，最终在基片上凝结以形成薄膜。真空蒸发沉积过程由三个步骤组成： 蒸发源材料由凝聚相转变成气相 在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运 蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜。 真空蒸发 基片可以选用各种材料，根据所需的薄膜性质基片可以保持在某一温度下。当蒸发在真空中开始时，蒸发温度会降低很多，对于正常蒸发所使用的压强一般为10-5Torr，这一压强能确保大多数发射出的蒸发粒子具有直线运动轨迹。基片与蒸发源的距离一般保持在10~50cm之间。 真空蒸发 大多数蒸发材料的蒸发是液相蒸发，也有一些属直接固相蒸发。根据knudsen理论，在时间dt内，从表面A蒸发的最大粒子数dN为： 其中P是平衡压强；m为粒子质量；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度。 真空蒸发 在真空中，单位面积清洁表面上粒子的自由蒸发率由Langmuir表达式给出： 式中M为气体的分子量；P（≈10-2Torr）是平衡蒸气压。 蒸发粒子在基片上的沉积率则取决于蒸发源的几何尺寸、蒸发源相对于基片的距离以及凝聚系数等因素。 真空蒸发 考虑一个理想情况，蒸发源是一清洁、均匀发射的点源，基片为一个平面，由Knudsen余弦定律所确定的沉积率则随cosθ/r2而变化，r为蒸发源到接收基片的距离，θ是径向矢量与垂直于基片方向的夹角（如图3-1所示）。如果d0是在距点源正上方中心处的沉积厚度，d为偏离中心l处的厚度，则： 点蒸发源的发射 真空蒸发 2017-6-12 10 真空蒸发镀膜原理 真空蒸发镀膜的物理过程 将膜材置于真空室内的蒸发源中，在高真空的条件下，通过蒸发源加热使其蒸发，膜材蒸发的原子和分子从蒸发表面逸出后，且当蒸发分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸以后，很少受到其他分子或原子的冲击与阻碍，可直接到达被镀的基片表面上，由于基片温度较低，便凝结其上而成膜。为了提高蒸发分子与基片的附着力，对基片进行适当的加热或离子清洗使其活化是必要的。 2017-6-12 11 真空蒸发镀膜原理 真空蒸发镀膜从物料蒸发输运到沉积成膜，经历的物理过程为： （1）采用各种能源方式转换成热能，加热膜材使之蒸发或升华，成为具有一定能量（0.1~0.3eV）的气态粒子（原子、分子或原子团）； （2）离开膜材表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基片表面； 2017-6-12 12 为了使蒸发镀膜顺利进行，应具备两个条件：蒸发过程中的真空条件和镀膜过程中的蒸发条件。 （3）到达基片表面的气态粒子凝聚形成核后生长成固相薄膜； （4）组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。 真空蒸发镀膜原理 2017-6-12 13 蒸发过程中的真空条件 蒸发镀膜过程中，从膜材表面蒸发的粒子以一定的速度在空间沿直线运动，直到与其他粒子碰撞为止。在真空室内，当气相中的粒子浓度和残余气体的压力足够低时，这些粒子从蒸发源到基片之间可以保持直线飞行，否则，就会产生碰撞而改变运动方向。为此，增加残余气体的平均自由程，借以减少其与蒸气分子的碰撞几率，把真空室内抽成高真空是必要的。当真空容器内蒸气分子的平均自由程大于蒸发源与基片的距离时，就会获得充分的真空条件。 2017-6-12 14 蒸发过程中的真空条件 14 设蒸距（蒸发源与基片的距离）为L，并把L看成是蒸气分子已知的实际行程，λ为气体分子的平均自由程，设从蒸发源蒸发出来的蒸气分子数位N0，在相距为L的蒸发源与基片之间发生碰撞而散射的蒸气分子数位N1，而且假设蒸发粒子主要与残余气体的原子或分子碰撞而散射，则有 2017-6-12 15 蒸发过程中的真空条件 在室温25℃和气体压力为p（Pa）的条件下，残余气体分子的平均自由程λ（cm）为 由上式计算可知，在室温下，p=10-2Pa时，λ=66.5cm，即一个